特許

J-GLOBAL ID：201203010291767954

プラズマ処理装置

発明者： 江部 明憲 ,  節原 裕一
出願人/特許権者： 江部 明憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-029401
公開番号（公開出願番号）：特開2012-169153
出願日： 2011年02月15日
公開日（公表日）： 2012年09月06日
要約：

【課題】1パスカル以下の低ガス圧でも放電開始や放電維持が容易で、基材表面へのプラズマダメージを最小限にするプラズマ処理装置を提供する。また、大面積プラズマ生成装置及びプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】プラズマ処理容器内に低インダクタンス誘導結合型アンテナ導体を装着したプラズマ処理装置において、前記低インダクタンス誘導結合型アンテナ導体に高周波電力を給電する高周波電源として、放電プラズマを持続するための第1の高周波電源と、該第1の高周波電源の周波数より大きな周波数の高周波電力を給電する第2の高周波電源で構成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

放電プラズマを形成する真空容器と、前記真空容器の上部を閉塞する天板又は側壁面に設けられた開口部に装着された低インダクタンス誘導結合型アンテナ導体と、前記真空容器内のガスを排気する排気手段と、前記真空容器内へプロセスガスを導入するガス導入手段と、前記アンテナ導体に高周波電力を給電する高周波電源とを備えたプラズマ処理装置において、前記高周波電源が、放電プラズマを持続するための第1の高周波電源と、該第1の高周波電源の周波数より大きな周波数の高周波電力を発振する第2の高周波電源とから構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H05H 1/46 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/505

FI (5件)：

H05H1/46 L ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 101C ,  H01L21/31 C ,  C23C16/505

Fターム (28件)：

4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030FA04 ,  4K030JA11 ,  4K030JA18 ,  4K030KA30 ,  4K030LA16 ,  4K030LA18 ,  5F004AA01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB18 ,  5F004BD01 ,  5F004BD04 ,  5F045AA08 ,  5F045AE02 ,  5F045AE03 ,  5F045AE05 ,  5F045AE07 ,  5F045AE09 ,  5F045AE11 ,  5F045AE13 ,  5F045AE15 ,  5F045BB02 ,  5F045BB08 ,  5F045EB02 ,  5F045EH02 ,  5F045EH11