特許
J-GLOBAL ID：201203010387463409
n型多結晶シリコンウェーハ並びにn型多結晶シリコンインゴット及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
鷲頭 光宏
, 緒方 和文
, 黒瀬 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-256214
公開番号（公開出願番号）：特開2012-106881
出願日： 2010年11月16日
公開日（公表日）： 2012年06月07日
要約：
【課題】高効率な発電パネル用の多結晶シリコンウェーハを提供する。【解決手段】電磁鋳造法によって多結晶シリコンインゴットを製造するに際し、シリコン融液にリンを連続的又は断続的に添加することによって比抵抗を1Ωcm以上、10Ωcm以下に制御する。本発明によれば、ドーパントを連続的又は断続的に添加可能な電磁鋳造法を用いていることから、多結晶シリコンインゴットの比抵抗を結晶軸方向において1Ω以上、10Ωの範囲に制御することが可能となる。しかも、ドーパントがリンであることから、B-O複合体が形成されることによる転位密度の増加も生じない。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電磁鋳造法によって育成された多結晶シリコンインゴットから切り出された発電パネル用のn型多結晶シリコンウェーハであって、リンの添加による比抵抗が1Ωcm以上、10Ωcm以下であることを特徴とするn型多結晶シリコンウェーハ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C01B33/02 E
, H01L31/04 X
4G072AA02
, 4G072BB12
, 4G072GG01
, 4G072JJ07
, 4G072MM38
, 4G072NN01
, 4G072QQ02
, 4G072RR12
, 4G072RR21
, 4G072TT17
, 4G072TT19
, 4G072UU02
, 5F151AA03
, 5F151CB04
