含フッ素スルホン酸塩類、光酸発生剤、レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-233940
公開番号（公開出願番号）：特開2012-108496
出願日： 2011年10月25日
公開日（公表日）： 2012年06月07日
要約：

【課題】リソグラフィ工程において、解像度に優れ、DOFが広く、LERが小さく、さらには感度が高く優れたパターン形状を形成できるレジスト組成物を調製するのに適した、レジスト溶剤に溶解性の高い光酸発生剤を提供する。【解決手段】ベース樹脂、光酸発生剤及び溶剤を少なくとも含有してなるレジスト組成物において、光酸発生剤が、下記一般式(4)で表される含フッ素スルホン酸塩であるレジスト組成物。(式中、Xは水素原子またはフッ素原子を表す。nは1〜6の整数を表す。R1は水素原子、アルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基、アリール基、アラルキル基を表す。また、R1に含まれる炭素上の水素原子は、置換基によって置換されていてもよい。R2は、RAO、RBRCNのいずれかを表す。Aは、二価の基を表す。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

ベース樹脂、光酸発生剤及び溶剤を少なくとも含有してなるレジスト組成物において、光酸発生剤が、下記一般式(4)で表される含フッ素スルホン酸塩であるレジスト組成物。

IPC (6件)：

G03F 7/004 , G03F 7/039 , G03F 7/038 , C07C 309/17 , C07C 381/12 , H01L 21/027

FI (6件)：

G03F7/004 503A , G03F7/039 601 , G03F7/038 601 , C07C309/17 , C07C381/12 , H01L21/30 502R

Fターム (36件)：

2H125AE04P , 2H125AF17P , 2H125AF38P , 2H125AH12 , 2H125AH17 , 2H125AH22 , 2H125AH23 , 2H125AH24 , 2H125AH25 , 2H125AJ12X , 2H125AJ14X , 2H125AJ14Y , 2H125AJ64X , 2H125AJ65X , 2H125AJ65Y , 2H125AJ68X , 2H125AJ69X , 2H125AJ87Y , 2H125AM22P , 2H125AM91P , 2H125AM94P , 2H125AM99P , 2H125AN39P , 2H125AN42P , 2H125AN65P , 2H125AN82P , 2H125BA26P , 2H125CA12 , 2H125CB08 , 2H125CC01 , 2H125CC03 , 2H125CC15 , 2H125CC17 , 4H006AA03 , 4H006AB46 , 4H006AB78

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