特許
J-GLOBAL ID：201203011354697125
ノボラック型フェノール樹脂およびこれを含むフォトレジスト組成物
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
津国 肇
, 齋藤 房幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-236474
公開番号（公開出願番号）：特開2012-087247
出願日： 2010年10月21日
公開日（公表日）： 2012年05月10日
要約：
【課題】半導体やLCDを製造する際のリソグラフィーに使用されるフォトレジスト用として、高耐熱、高感度、高残膜率、高解像度なフォトレジストの製造を可能にするノボラック型フェノール樹脂を提供すること。【解決手段】m-クレゾール及び/又はp-クレゾールを含有する1価フェノール成分(a)と、2価フェノール類び/又は3価フェノールを含有する多価フェノール成分(b)と、アルデヒド成分(c)とを反応して得られるノボラック型フェノール樹脂であって、1価フェノール成分(a)と多価フェノール成分(b)の質量割合(a)/(b)が99/1〜50/50であり、アルデヒド成分(c)が、ポリアルデヒド(c1)及びホルムアルデヒド(c2)を含有し、アルデヒド成分(c)における、ポリアルデヒド(c1)とホルムアルデヒド(c2)とのモル比(c1)/(c2)が5/95〜95/5であることを特徴とするノボラック型フェノール樹脂。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
m-クレゾール及び/又はp-クレゾールを含有する1価フェノール成分(a)と、2価フェノール及び/又は3価フェノールを含有する多価フェノール成分(b)と、アルデヒド成分(c)とを縮重合反応して得られるノボラック型フェノール樹脂であって、1価フェノール成分(a)と多価フェノール成分(b)の質量割合(a)/(b)が99/1〜50/50であり、アルデヒド成分(c)が、ポリアルデヒド(c1)及びホルムアルデヒド(c2)を含有し、アルデヒド成分(c)における、ポリアルデヒド(c1)とホルムアルデヒド(c2)とのモル比(c1)/(c2)が5/95〜95/5であることを特徴とするノボラック型フェノール樹脂。
IPC (4件)：
C08G 8/24
, G03F 7/022
, G03F 7/023
, H01L 21/027
C08G8/24
, G03F7/022
, G03F7/023 511
, H01L21/30 502R
2H125AF02P
, 2H125AM80P
, 2H125AN39P
, 2H125CA12
, 2H125CB02
, 2H125CC03
, 2H125CC21
, 2H125CD08P
, 2H125CD38
, 4J033CA01
, 4J033CA02
, 4J033CA10
, 4J033CA12
, 4J033CA13
, 4J033CA14
, 4J033CA20
, 4J033CA29
, 4J033CB03
, 4J033CC03
, 4J033CC08
, 4J033CD02
, 4J033CD05
, 4J033HA02
, 4J033HA04
, 4J033HA12
, 4J033HB10
