特許

J-GLOBAL ID：201203011425005556

グラフェン薄膜の製造方法

発明者： 藤井 健志 ,  佐藤 まり子
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 松本 洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-173264
公開番号（公開出願番号）：特開2012-031024
出願日： 2010年08月02日
公開日（公表日）： 2012年02月16日
要約：

【課題】原子層レベルで膜厚(薄膜層数)を自在にしてグラフェン薄膜を得ることを可能にする。【解決手段】グラファイトを酸化して酸化グラファイトを得る工程と、酸化グラファイトを溶媒に分散し、該酸化グラファイトを層状に剥離して酸化グラフェン12を含む懸濁液を得る工程と、前記懸濁液に基板11を浸漬して酸化グラフェン薄膜を形成し、該酸化グラフェン12を還元してグラフェン薄膜を形成する工程とを含むグラフェン薄膜の製造方法であって、前記グラフェン薄膜を成膜する工程において、基板11にカチオン材料10の薄膜をあらかじめ形成し、前記基板表面を正に帯電させ、前記基板を酸化グラフェン12を含む懸濁液に浸漬し、カチオン材料10の正電荷と酸化グラフェン12の負電荷による静電気力により酸化グラフェン12を吸着させることで酸化グラフェン薄膜を形成し、ついで酸化グラフェン薄膜を還元してグラフェン薄膜を形成する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

グラファイトを酸化して酸化グラファイトを得る工程と、酸化グラファイトを溶媒に分散し、該酸化グラファイトを層状に剥離して酸化グラフェンを含む懸濁液を得る工程と、前記懸濁液に基板を浸漬して酸化グラフェン薄膜を形成し、該酸化グラフェンを還元してグラフェン薄膜を形成する工程とを含むグラフェン薄膜の製造方法であって、 前記グラフェン薄膜を成膜する工程において、基板にカチオン材料の薄膜をあらかじめ形成し、前記基板表面を正に帯電させ、前記基板を酸化グラフェンを含む懸濁液に浸漬し、カチオン材料の正電荷と酸化グラフェンの負電荷による静電気力により、カチオン材料に酸化グラフェンを吸着させることで酸化グラフェン薄膜を形成し、ついで酸化グラフェン薄膜を還元してグラフェン薄膜を形成することを特徴とするグラフェン薄膜の製造方法。

IPC (1件)：

C01B 31/04

FI (1件)：

C01B31/04 101Z

Fターム (8件)：

4G146AA02 ,  4G146AB07 ,  4G146AD24 ,  4G146CB13 ,  4G146CB14 ,  4G146CB16 ,  4G146CB17 ,  4G146CB31