特許

J-GLOBAL ID：201203012081026288

窒化アルミニウム結晶の製造方法

発明者： 福山 博之 ,  安達 正芳 ,  田中 明和 ,  前田 一夫
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社 ,  国立大学法人東北大学
代理人 (5件)： 小池 晃 ,  伊賀 誠司 ,  藤井 稔也 ,  野口 信博 ,  祐成 篤哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-050415
公開番号（公開出願番号）：特開2012-167001
出願日： 2011年03月08日
公開日（公表日）： 2012年09月06日
要約：

【課題】安価で良質な窒化アルミニウム結晶の製造方法を提供する。【解決手段】Ga-Al合金融液4に窒素ガスを導入し、Ga-Al合金融液4中の種結晶基板3上に窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させる。窒化アルミニウム結晶の育成温度を1000°C以上1500°C以下の範囲とすることにより、GaNを金属Gaと窒素ガスに分解させる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

Ga-Al合金融液にN原子を含有するガスを導入し、該Ga-Al合金融液中の種結晶基板上に窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させる窒化アルミニウム結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  C30B 19/04

FI (2件)：

C30B29/38 C ,  C30B19/04

Fターム (11件)：

4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077CG02 ,  4G077CG07 ,  4G077EA02 ,  4G077EA06 ,  4G077EE00 ,  4G077QA04 ,  4G077QA26 ,  4G077QA34 ,  4G077QA38

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 窒化アルミニウム単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-110363   出願人：日本碍子株式会社, 豊田合成株式会社
• AlN単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-128206   出願人：住友金属工業株式会社
• 高結晶性窒化アルミニウム積層基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-262268   出願人：財団法人理工学振興会
• 窒化アルミニウム単結晶積層基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-031086   出願人：株式会社トクヤマ
• 窒化アルミニウム単結晶積層基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-227165   出願人：株式会社トクヤマ