特許

J-GLOBAL ID：201203012396447630

受光素子

発明者： 山口 栄一 ,  人羅 俊実
出願人/特許権者： ALGAN株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人みのり特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-013629
公開番号（公開出願番号）：特開2012-156282
出願日： 2011年01月26日
公開日（公表日）： 2012年08月16日
要約：

【課題】個々のニーズに合った波長の光を検出、測定可能であると共に、高S/N比を実現可能な受光素子を提供する。【解決手段】半導体受光素子1であって、導電性を示すSi系半導体からなる結晶基板2と、その一方側の面上に形成されたバッファ層3と、さらにその上方において、AlN層からなる第1の光感受層11とGaN層からなる第2の光感受層12とを少なくとも1層づつ交互に積層させることにより形成した第1の光感受層11と第2の光感受層12との超格子構造よりなる光感受層10と、受光面4aとなる上記光感受層4の一方側の面に備え設けられた、受光素子を構成する一方側の電極たるショットキー電極5と、結晶基板2の他方側の面に備え設けられた、受光素子を構成する他方側の電極7とからなる受光素子1とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体受光素子であって、 導電性を示すSi系半導体からなる結晶基板と、 前記結晶基板の一方側の面上に形成されたバッファ層と、 前記バッファ層の上方において、AlN層からなる第1の光感受層とGaN層からなる第2の光感受層とを少なくとも1層ずつ交互に積層させることにより形成した第1の光感受層と第2の光感受層との超格子構造よりなる光感受層と、 受光面となる前記光感受層の一方側の面に備え設けられた、受光素子を構成する一方側の電極たるショットキー電極と、 前記結晶基板の他方側の面に備え設けられた、受光素子を構成する他方側の電極と、 からなることを特徴とする受光素子。

IPC (1件)：

H01L 31/108

FI (1件)：

H01L31/10 C

Fターム (7件)：

5F049MA05 ,  5F049MB07 ,  5F049NA03 ,  5F049NA04 ,  5F049SE05 ,  5F049SS03 ,  5F049WA05