半導体における多重励起子生成状態の評価方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：三好秀和 , 高橋俊一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-036258
公開番号（公開出願番号）：特開2012-173171
出願日： 2011年02月22日
公開日（公表日）： 2012年09月10日
要約：

【課題】半導体内の多重励起子の生成状態を評価する。【解決手段】回折格子の背後に標準試料を移動可能に配置し、前記回折格子を通して前記標準試料に、励起光としての第1のレーザー光及びプローブ光としての第2のレーザー光を入射させると共に、前記第1のレーザー光によって縞状の強度分布を持つ光を前記標準試料内に発生させ、前記回折格子及び前記標準試料からの回折光を観察することで、前記標準試料の複素屈折率の虚数部の変化による回折光が消失する前記標準試料の位置を特定し、特定した前記位置に半導体を含む測定試料を配置し、前記回折格子を通して前記測定試料に、前記第1のレーザー光及び前記第2のレーザー光を入射させると共に、前記第1のレーザー光によって縞状の強度分布を持つ光を前記測定試料内に発生させ、前記回折格子及び前記測定試料からの回折光を観測する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体における多重励起子生成状態の評価方法であって、回折格子の背後に標準試料を移動可能に配置し、前記回折格子を通して前記標準試料に、励起光としての第1のレーザー光及びプローブ光としての第2のレーザー光を入射させると共に、前記第1のレーザー光によって縞状の強度分布を持つ光を前記標準試料内に発生させ、前記回折格子及び前記標準試料からの回折光を観察することで、前記標準試料の複素屈折率変化の虚数部による回折光が消失する前記標準試料の位置を特定し、特定した前記位置に前記半導体を含む測定試料を配置し、前記回折格子を通して前記測定試料に、前記第1のレーザー光及び前記第2のレーザー光を入射させると共に、前記第1のレーザー光によって縞状の強度分布を持つ光を前記測定試料内に発生させ、前記回折格子及び前記測定試料からの回折光を観測することを特徴とする多重励起子生成状態の評価方法。

IPC (2件)：

G01N 21/17 , H01L 31/04

FI (2件)：

G01N21/17 Z , H01L31/04 Z

Fターム (24件)：

2G059AA05 , 2G059BB16 , 2G059EE01 , 2G059EE09 , 2G059EE17 , 2G059FF04 , 2G059GG01 , 2G059GG03 , 2G059GG08 , 2G059GG09 , 2G059HH02 , 2G059HH06 , 2G059JJ05 , 2G059JJ07 , 2G059JJ11 , 2G059JJ13 , 2G059JJ24 , 2G059KK01 , 2G059LL01 , 2G059MM01 , 5F151AA14 , 5F151DA13 , 5F151KA09 , 5F151KA10

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