特許
J-GLOBAL ID：201203013148624033
積算電流センサおよび半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
三好 秀和
, 高橋 俊一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-023760
公開番号（公開出願番号）：特開2012-163429
出願日： 2011年02月07日
公開日（公表日）： 2012年08月30日
要約：
【課題】コストをかけずに電気負荷(電気部品)に流れた積算電流を測定することのできる積算電流センサを実現する。【解決手段】バンドギャップの大きさがE1の第1p型半導体層1とバンドギャップの大きさがE2の第2p型半導体層2とバンドギャップの大きさがE3の第3p型半導体層3とがこの順番で積層され、各バンドギャップの大きさはE1>E2>E3の条件を満足し、第1p型半導体層1は内部に初期的に存在している水素を含有し、自身に流れた電流量に応じて水素が第1p型半導体層1から第2p型半導体層2を経て第3p型半導体層3へと拡散していくことにより積層方向抵抗値が変化していく半導体素子S1と、半導体素子S1に流れた電流量に応じて変化していく半導体素子S1の積層方向抵抗値を測定することにより半導体素子S1に流れた積算電流を検出する抵抗測定器16とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
積算電流センサであって、
バンドギャップの大きさがE1の第1p型半導体層とバンドギャップの大きさがE2の第2p型半導体層とバンドギャップの大きさがE3の第3p型半導体層とがこの順番で積層され、各バンドギャップの大きさはE1>E2>E3の条件を満足し、前記第1p型半導体層は内部に初期的に存在している水素を含有し、自身に流れた電流量に応じて前記水素が前記第1p型半導体層から前記第2p型半導体層を経て前記第3p型半導体層へと拡散していくことにより積層方向抵抗値が変化していく半導体素子と、
前記半導体素子に流れた電流量に応じて変化していく前記半導体素子の前記積層方向抵抗値を測定することにより、前記半導体素子に流れた積算電流を検出する抵抗測定器と
を備えることを特徴とする積算電流センサ。
IPC (5件)：
G01R 22/00
, G01R 15/14
, G01N 27/00
, H01L 45/00
, H01L 49/00
G01R22/00 110Z
, G01R15/02 Z
, G01N27/00 Z
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
2G025AA00
, 2G025AB00
, 2G025AC01
, 2G060AA09
, 2G060AE26
, 2G060AF07
, 2G060AG08
, 2G060AG15
, 2G060EA07
, 2G060JA07
, 2G060KA15
