特許

J-GLOBAL ID：201203013708989040

不揮発性抵抗変化素子

発明者： 灰本 隆志 ,  市原 玲華 ,  草井 悠
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-033063
公開番号（公開出願番号）：特開2012-174766
出願日： 2011年02月18日
公開日（公表日）： 2012年09月10日
要約：

【課題】不揮発性抵抗変化素子の多値化を実現する。【解決手段】金属元素を有する第1電極11と、半導体元素を有する第2電極13と、金属元素を有する第3電極15と、第1電極11と第2電極13との間に配置され、第1電極11の金属元素が出入りすることで可逆的に抵抗変化が可能な第1抵抗変化層12と、第2電極13と第3電極15との間に配置され、第3電極15の金属元素が出入りすることで可逆的に抵抗変化が可能な第2抵抗変化層14とを設ける。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

金属元素を有する第1電極と、 半導体元素を有する第2電極と、 金属元素を有する第3電極と、 前記第1電極と前記第2電極との間に配置され、前記第1電極の金属元素が出入りすることで可逆的に抵抗変化が可能な第1抵抗変化層と、 前記第2電極と前記第3電極との間に配置され、前記第3電極の金属元素が出入りすることで可逆的に抵抗変化が可能な第2抵抗変化層とを備えることを特徴とする不揮発性抵抗変化素子。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00 ,  G11C 13/00

FI (4件)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  G11C13/00 A

Fターム (13件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083LA10 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083ZA21