ホウ素ドープダイヤモンド

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：川口嘉之 , 松倉秀実 , 佐貫伸一 , 丹羽武司
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-526549
公開番号（公開出願番号）：特表2012-501954
出願日： 2009年01月06日
公開日（公表日）： 2012年01月26日
要約：

本発明は、金属ナノ粒子改質ホウ素ドープダイヤモンドの製造方法であって、ホウ素ドープダイヤモンド前面に金属ナノ粒子を沈着させる前にホウ素ドープダイヤモンド前面を酸処理することで強酸化剤を生成する工程を含む、方法に関する。酸洗浄により得られた金属ナノ粒子改質ホウ素ドープダイヤモンドは、酸素終端化された前面を有する。金属ナノ粒子改質ホウ素ドープダイヤモンドは、酸素センサーとして電極中に用いられ得、この電極は、ホウ素ドープダイヤモンド柱を製造し;この柱の前面のみが露出するように柱を絶縁し;柱の前面を研磨し;柱の前面を酸処理し;柱の前面に金属ナノ粒子を沈着させることで作製され得る。

請求項（抜粋）：

金属ナノ粒子改質ホウ素ドープダイヤモンドの製造方法であって、ホウ素ドープダイヤモンドの前面に金属ナノ粒子を沈着させる工程の前の工程において前記ホウ素ドープダイヤモンドの前記前面の少なくとも一部を酸処理して前記BDDの酸処理された部分を酸素化することを含む、方法。

IPC (7件)：

C01B 31/06 , G01N 27/30 , G01N 27/404 , G01N 27/48 , C25D 7/00 , C25D 21/12 , C25D 5/54

FI (12件)：

C01B31/06 A , G01N27/30 B , G01N27/30 F , G01N27/46 323 , G01N27/30 341G , G01N27/30 341D , G01N27/30 Z , G01N27/48 311 , C01B31/06 Z , C25D7/00 Y , C25D21/12 K , C25D5/54

Fターム (17件)：

4G146AA04 , 4G146AC27A , 4G146CB12 , 4G146CB14 , 4G146CB26 , 4G146CB37 , 4K024AA11 , 4K024AA12 , 4K024AB15 , 4K024BA11 , 4K024BB27 , 4K024BB28 , 4K024BC10 , 4K024CA01 , 4K024DA01 , 4K024DA03 , 4K024GA16

引用文献：

出願人引用 (5件)

全件表示

審査官引用 (5件)

全件表示

前のページに戻る