特許
J-GLOBAL ID：201203013951176961
粒子線治療システム及び粒子線照射方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
井上 学
, 戸田 裕二
, 渡邊 孝弘
, 岩崎 重美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-171309
公開番号（公開出願番号）：特開2012-029821
出願日： 2010年07月30日
公開日（公表日）： 2012年02月16日
要約：
【課題】イオンビームの照射時間を短縮し、かつ線量分布の一様度を維持することができる粒子線治療システムを提供することを課題とする。【解決手段】イオンビームを加速する加速器2と、イオンビームを照射対象に照射する照射ノズル5と、照射ノズル5を制御する照射制御部9を備え、照射ノズル5は、イオンビームの照射位置を変更する走査電磁石13を有し、照射制御部9は、照射対象の目標照射位置と当該目標照射位置にイオンビームを照射したときの平均ビーム位置との誤差情報と、目標照射位置に照射するイオンビームの目標照射線量情報との関係を示すデータを記憶する記憶装置を有し、照射制御部9は、記憶装置に記憶された誤差情報と目標照射線量情報の関係を示すデータに基づいて、走査電磁石13の励磁電流を制御してイオンビームの照射位置を補正することで上記課題を解決することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
イオンビームを所定のエネルギーまで加速する加速器と、
前記加速したイオンビームを照射対象に照射する照射装置と、
前記加速器と前記照射装置を接続するビーム輸送系と、
前記照射装置を制御する照射制御装置を備え、
前記照射装置は、前記照射対象に対する前記イオンビームの照射位置を変更する走査電磁石を有し、
前記照射制御装置は、前記照射対象の目標照射位置と当該目標照射位置に前記イオンビームを照射したときの平均ビーム位置との誤差情報と、前記目標照射位置に照射するイオンビームの目標照射線量情報との関係を示すデータを記憶する記憶装置を有し、
前記照射制御装置は、前記記憶装置に記憶された前記誤差情報と前記目標照射線量情報の関係を示すデータに基づいて、前記走査電磁石の励磁電流を制御して前記イオンビームの照射位置を補正することを特徴とする粒子線治療システム。
IPC (2件)：
FI (4件)：
A61N5/10 H
, A61N5/10 M
, G21K5/04 A
, G21K5/04 C
4C082AA01
, 4C082AC04
, 4C082AE02
, 4C082AG12
, 4C082AG21
, 4C082AN05
