特許

J-GLOBAL ID：201203014757516189

接合可能なウェハ表面のための応力が低減されたNi-P/Pd積層

発明者： アルブレッヒト・ユーリグ ,  ヨセフ・ガイダ ,  クリストフ・ズーケントランク ,  マイク・ボイル ,  ブライアン・ワッショ
出願人/特許権者： アトテック・ドイチュラント・ゲーエムベーハー
代理人 (3件)： 大島 正孝 ,  白石 泰三 ,  勝又 秀夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-531435
公開番号（公開出願番号）：特表2012-505964
出願日： 2009年10月01日
公開日（公表日）： 2012年03月08日
要約：

本発明は、AlまたはCu表面上に、接合可能な金属被覆を以下に記載の順で有する基板に関する:(a)Ni-P層、(b)Pd層、および任意的に、(c)Au層、ここで、Ni-P層(a)の厚さは0.2〜10mであり、Pd層(b)の厚さは0.05〜1.0mであり、そして任意的なAu層(c)の厚さは0.01〜0.5mであり、そしてNi-P層(a)のP含量は10.5〜14重量%である。得られるNi-P/Pd積層の堆積内部応力は、34.48MPa(5,000psi)以下である。さらに、このような基板の調製プロセスを記述した。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

AlまたはCu表面上に、接合可能な金属被覆を以下に記載の順で有する基板: (a)Ni-P層、 (b)Pd層、および任意的に、 (c)Au層、 ここで、Ni-P層(a)の厚さは0.2〜10μmであり、Pd層(b)の厚さは0.05〜1.0μmであり、そして任意的なAu層(c)の厚さは0.01〜0.5μmであり、 Ni-P層(a)のP含量は10.5〜14重量%であり、そして Ni-P層(a)およびPd層(b)からなる積層の堆積内部応力は34.48MPa(5,000psi)以下である。

IPC (2件)：

C23C 18/36 ,  C23C 18/44

FI (2件)：

C23C18/36 ,  C23C18/44

Fターム (16件)：

4K022AA02 ,  4K022BA03 ,  4K022BA14 ,  4K022BA16 ,  4K022BA18 ,  4K022BA36 ,  4K022CA03 ,  4K022CA04 ,  4K022CA09 ,  4K022DA01 ,  4K022DA03 ,  4K022DB02 ,  4K022DB07 ,  4K022DB26 ,  4K022DB28 ,  4K022DB29

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 配線基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-300649   出願人：京セラ株式会社
• 外部接続端子及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-402535   出願人：富士通株式会社
• 配線基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-204188   出願人：京セラ株式会社
• 配線基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-418140   出願人：京セラ株式会社
• 無電解多層めっき皮膜が形成された電極及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-176731   出願人：エヌ・イーケムキャット株式会社
• 金属被覆された金属部材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-208560   出願人：同和鉱業株式会社
• 導電膜の形成方法、配線基板、電子デバイスおよび電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-311589   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体発光装置及び半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-084755   出願人：日亜化学工業株式会社