特許
J-GLOBAL ID:201203015147230441
多結晶シリコンおよびシランプラントにおける排ガス回収システム
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (17件):
蔵田 昌俊
, 高倉 成男
, 河野 哲
, 中村 誠
, 福原 淑弘
, 峰 隆司
, 白根 俊郎
, 村松 貞男
, 野河 信久
, 幸長 保次郎
, 河野 直樹
, 砂川 克
, 井関 守三
, 佐藤 立志
, 岡田 貴志
, 堀内 美保子
, 竹内 将訓
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-517852
公開番号(公開出願番号):特表2012-532083
出願日: 2010年06月29日
公開日(公表日): 2012年12月13日
要約:
精製SiHCl3および/またはSiCl4を、多結晶シリコンリアクタからの排ガスを受け取るガス分離膜の透過側を横切るスウィープガスとして使用する。スイープガスと透過物とを合わせたものをリアクタにリサイクルする。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
多結晶シリコンまたはシランの製造中に生じる排ガスをリサイクルする方法であって:
精製ユニット、STC変換器、および/または多結晶シリコン堆積リアクタからの少なくともSiHCl3、SiCl4、HCl、およびH2を含む排ガスを凝縮器に導いて凝縮物および非凝縮物を製造する工程であって、前記凝縮物は主にSiHCl3とSiCl4とを含み、前記非凝縮物は多量のH2と、SiHCl3、SiCl4を含む少量のクロロシランと、少量のHClとを含む工程と;
前記非凝縮物を圧縮器に導き、次に少なくとも1つのガス分離膜を具備するガス分離ユニットに導く工程と;
SiHCl3またはSiCl4を含むスウィープガスを前記膜の透過側に導く工程と;
前記透過側からのリサイクルガスを回収する工程であって、前記リサイクルガスは前記非凝縮物から前記膜を通って透過したH2と前記スウィープガスからのSiHCl3またはSiCl4とを含む工程と;
前記リサイクルガスを塩化水素処理リアクタ、前記STC変換器、および/または前記堆積リアクタに導く工程と
を含む方法。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (32件):
4D006GA41
, 4D006KA01
, 4D006KA72
, 4D006KB18
, 4D006KB30
, 4D006MA01
, 4D006MA02
, 4D006MA03
, 4D006MB04
, 4D006MB11
, 4D006MC28
, 4D006MC54
, 4D006MC58
, 4D006MC62
, 4D006PA01
, 4D006PB19
, 4D006PB66
, 4D006PB70
, 4G072AA01
, 4G072BB12
, 4G072GG01
, 4G072GG03
, 4G072GG04
, 4G072HH08
, 4G072HH09
, 4G072JJ01
, 4G072JJ14
, 4G072MM01
, 4G072MM08
, 4G072NN01
, 4G072RR04
, 4G072UU02
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