特許

J-GLOBAL ID：201203015266897110

グラフェン薄膜の製造法及び透明導電材料

発明者： 植田 昌宏 ,  面田 亮
出願人/特許権者： 株式会社KRI
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-235364
公開番号（公開出願番号）：特開2012-087010
出願日： 2010年10月20日
公開日（公表日）： 2012年05月10日
要約：

【課題】湿式法で塗布と焼成といった簡便な工程と簡便で安価な設備で、透明性や導電性に優れた透明導電材料に適するグラフェン薄膜の作製方法を提供する。【課題を解決するための手段】少なくともベンゼン環が4個以上連結した構造を核とし、炭素数3以上の脂肪族炭化水素を置換基として有する多環式芳香族炭化水素誘導体に触媒を加えた液状組成物を基体に塗布して塗膜を形成したのち、前記基体上の塗膜を不活性ガス雰囲気中で焼成することを特徴とするグラフェン薄膜の製造法。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

多環式芳香族炭化水素誘導体を原料とするグラフェン薄膜の製造法であって、前記多環式芳香族炭化水素誘導体は、少なくともベンゼン環が4個以上連結した構造を核とし、炭素数3以上の脂肪族炭化水素を有する基を置換基として有しており、少なくとも前記芳香族炭化水素誘導体に触媒を加えた液状組成物を基体に塗布して塗膜を形成したのち、前記基体上の塗膜を不活性ガス雰囲気中で焼成することを特徴とするグラフェン薄膜の製造法。

IPC (3件)：

C01B 31/02 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00

FI (3件)：

C01B31/02 101Z ,  H01B5/14 A ,  H01B13/00 503B

Fターム (23件)：

4G146AA07 ,  4G146AB07 ,  4G146AC20B ,  4G146AC30B ,  4G146AD22 ,  4G146BA11 ,  4G146BB05 ,  4G146BB10 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC03 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC33B ,  4G146BC37B ,  4G146BC43 ,  4G146BC44 ,  5G307FA02 ,  5G307FB04 ,  5G307FC09 ,  5G323BA05 ,  5G323BB02 ,  5G323BC01