特許

J-GLOBAL ID：201203015722316590

エネルギー変換装置

発明者： クイック,ナサニエル,アール. ,  カー,アラヴィンダ
出願人/特許権者： クイック,ナサニエル,アール. ,  ユニバーシティ オブ セントラル フロリダ
代理人 (1件)： 保科 敏夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-538604
公開番号（公開出願番号）：特表2012-510717
出願日： 2009年12月01日
公開日（公表日）： 2012年05月10日
要約：

【課題】電磁と電気エネルギーとの間の変換を行うエネルギー変換装置およびその製造方法の提供。【解決手段】エネルギー変換装置は、熱エネルギービームで形成した第1のドープド領域と第2のドープド領域とをもつ広バンドギャップ半導体材料を備える。第1の例において、エネルギー変換装置は、発光装置として動作し、電力を受けて電磁放射を生じる。第2の例において、エネルギー変換装置は、光起電力装置として動作し、電磁放射を受けて電力を生じる。第3の例において、エネルギー変換装置は、絶縁材料を変換して形成する。光起電力装置を太陽熱液体加熱装置と組み合わせることにより、電磁放射を受けて電力および加熱液体を得ることができる。 【選択図】図4A

請求項（抜粋）：

電磁と電気エネルギーとの間のエネルギーを変換する半導体エネルギー変換装置を製造する方法であり、次の各工程を備える、半導体エネルギー変換装置の製造方法。 ・第1のドープド区域をもつ広いバンドギャップの半導体材料を用意する工程。 ・その広いバンドギャップの半導体材料の第1のドープド区域に、ドーピングガスを当てる工程。 ・そのドーピングガスが存在する広いバンドギャップの半導体材料の第1のドープド区域上に、熱エネルギービームを向け、それにより、第1のドープド区域の一部を広いバンドギャップの半導体材料の第2のドープド区域に変化させる工程。 ・広いバンドギャップの半導体材料の第1および第2のドープド区域に対し、第1および第2のオーム電極を付ける工程。

IPC (2件)：

H01L 33/28 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01L33/00 182 ,  H01L31/04 E ,  H01L31/04 A

Fターム (26件)：

5F041AA11 ,  5F041AA12 ,  5F041CA02 ,  5F041CA33 ,  5F041CA49 ,  5F041CA58 ,  5F041CA72 ,  5F041CA77 ,  5F141AA11 ,  5F141AA12 ,  5F141CA02 ,  5F141CA33 ,  5F141CA49 ,  5F141CA58 ,  5F141CA72 ,  5F141CA77 ,  5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151AA08 ,  5F151AA16 ,  5F151BA03 ,  5F151CB18 ,  5F151GA03 ,  5F151JA08 ,  5F151JA28 ,  5F151JA29