特許
J-GLOBAL ID：201203015879764872
真空成膜方法、及び該方法によって得られる積層体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
辻居 幸一
, 熊倉 禎男
, 大塚 文昭
, 西島 孝喜
, 須田 洋之
, 上杉 浩
, 豊島 匠二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-068802
公開番号（公開出願番号）：特開2012-237058
出願日： 2012年03月26日
公開日（公表日）： 2012年12月06日
要約：
【課題】ロールツーロール技術において、作業の効率化、或いは、改善を更に図った成膜方法を提供する。【解決手段】第1基体を第1ロール室から第2ロール室へ向う第1の方向に第1ロール室から繰り出す段階、第1基体を脱ガスする段階、第1基体に第2成膜室で第2の膜材料を成膜する段階、第1基体を第2ロール室で巻取ることにより第1基体を生成する段階を備え、更に、第2ロール室から第1ロール室へ向う第2の方向において第2基体を生産するために同様の動作を行う。ここで、第2の膜材料が成膜された第1基体を生成するにあたり、第1成膜室の第1カソード電極が第1成膜室から取り除かれ、また、第1の膜材料が成膜された第2基体を生成するにあたり、第2成膜室の第2カソード電極が第2成膜室から取り除かれる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
長尺の基体に連続的に真空成膜を行う方法であって、
a) ロール状に巻かれた長尺の第1基体を第1ロール室から第2ロール室へ向う第1の方向に前記第1ロール室から繰り出す段階、
b) 前記第1の方向に繰り出された前記第1基体を脱ガスする段階、
c) 前記脱ガスされた前記第1基体に第2成膜室の第2カソード電極によって支持されたターゲットを用いて第2の膜材料を成膜する段階、
d) 前記第2の膜材料が成膜された前記第1基体を前記第2ロール室で巻取ることにより前記第2の膜材料が成膜された第1基体を生成する段階、
更に、
a’) ロール状に巻かれた長尺の、前記第1基体とは異なる第2基体を前記第2ロール室から前記第1ロール室へ向う第2の方向に前記第2ロール室から繰り出す段階、
b’) 前記第2の方向に繰り出された前記第2基体を脱ガスする段階、
c’) 前記脱ガスされた前記第2基体に前記第1成膜室の第1カソード電極によって支持されたターゲットを用いて第1の膜材料を成膜する段階、
d’) 前記第1の膜材料が成膜された前記第2基体を前記第1ロール室で巻取ることにより前記第1の膜材料が成膜された第2基体を生成する段階、
を備え、
前記第2の膜材料が成膜された第1基体を生成するにあたり、前記第1成膜室の第1カソード電極が前記第1成膜室から取り除かれ、
また、
前記第1の膜材料が成膜された第2基体を生成するにあたり、前記第2成膜室の第2カソード電極が前記第2成膜室から取り除かれる、
ことを特徴とする成膜方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (28件)：
4K029AA02
, 4K029AA11
, 4K029AA25
, 4K029BA22
, 4K029BA45
, 4K029BB02
, 4K029BB04
, 4K029BC09
, 4K029CA05
, 4K029DA08
, 4K029DC16
, 4K029FA05
, 4K029FA06
, 4K029FA09
, 4K029GA01
, 4K029JA10
, 4K029KA03
, 4K029KA09
, 4K030BB12
, 4K030CA02
, 4K030CA07
, 4K030CA17
, 4K030DA02
, 4K030DA06
, 4K030DA09
, 4K030GA14
, 4K030KA14
, 4K030KA24
