ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-262389
公開番号（公開出願番号）：特開2012-113143
出願日： 2010年11月25日
公開日（公表日）： 2012年06月14日
要約：

【解決手段】紫外線、遠紫外線、電子線、X線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線照射の高エネルギー線に感応して酸を発生する特定の構造の繰り返し単位と酸不安定単位を有し、酸によってアルカリ溶解性が向上する高分子化合物(A)、特定の構造のスルホニウム塩(B)を共に含むことを特徴とするポジ型レジスト組成物。【効果】本発明は、酸拡散の抑制と溶解コントラスト向上を両立し、かつケミカルフレア耐性を高めることにより、微細パターン、特にトレンチ(溝)パターンやホール(穴)パターンのリソグラフィー性能(形状、DOF、エッジラフネス)を改善させることができる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

紫外線、遠紫外線、電子線、X線、エキシマレーザー、γ線及びシンクロトロン放射線から選ばれる高エネルギー線に感応して酸を発生する下記一般式(1-1)又は(1-2)のいずれかで示される構造の繰り返し単位と酸不安定単位とを有し、酸によってアルカリ溶解性が向上する高分子化合物(A)、及び下記一般式(2-1)又は(2-2)のいずれかで示されるスルホニウム塩(B)を共に含むことを特徴とするポジ型レジスト材料。

IPC (7件)：

G03F 7/004 , G03F 7/039 , G03F 7/11 , G03F 7/38 , C08L 33/16 , C08K 5/36 , H01L 21/027

FI (8件)：

G03F7/004 503A , G03F7/039 601 , G03F7/004 501 , G03F7/11 501 , G03F7/38 501 , C08L33/16 , C08K5/36 , H01L21/30 502R

Fターム (48件)：

2H096AA25 , 2H096DA10 , 2H125AF16P , 2H125AF17P , 2H125AF18P , 2H125AF20P , 2H125AF21P , 2H125AF27P , 2H125AF34P , 2H125AF36P , 2H125AF38P , 2H125AF70P , 2H125AH15 , 2H125AH16 , 2H125AH17 , 2H125AH19 , 2H125AH23 , 2H125AH24 , 2H125AH25 , 2H125AJ14X , 2H125AJ59X , 2H125AJ60X , 2H125AJ63X , 2H125AJ64X , 2H125AJ65X , 2H125AJ69X , 2H125AM22P , 2H125AM66P , 2H125AM94P , 2H125AM99P , 2H125AN39P , 2H125AN54P , 2H125AN64P , 2H125AN86P , 2H125BA01P , 2H125BA26P , 2H125BA32P , 2H125CA12 , 2H125CB09 , 2H125CC03 , 2H125CC15 , 2H125DA03 , 2H125FA03 , 4J002BG071 , 4J002BG081 , 4J002EV236 , 4J002EV306 , 4J002GP03

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