特許

J-GLOBAL ID：201203016598209787

スルホニウム塩を含む高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法、並びにスルホニウム塩単量体及びその製造方法

発明者： 大澤 洋一 ,  大橋 正樹 ,  橘 誠一郎 ,  畠山 潤
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-258496
公開番号（公開出願番号）：特開2012-107151
出願日： 2010年11月19日
公開日（公表日）： 2012年06月07日
要約：

【課題】レジスト溶剤への溶解性が高い、スルホニウム塩含有高分子化合物を提供する。【解決手段】一般式(1a)、(2)及び(3)で示される繰り返し単位を含有する高分子化合物。(R1はH、F、CH3又はCF3を示す。R2〜R4は、いずれか1つ以上は4-フルオロフェニル基である特定の置換基。R8はH、又はアルキル基を示す。pは0又は1、Bは単結合又は2価の有機基を示す。aは0〜3の整数、bは1〜3の整数、Xは酸不安定基を示す。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1a)、下記一般式(2)及び下記一般式(3)で示される繰り返し単位を含有することを特徴とする高分子化合物。

IPC (5件)：

C08F 220/38 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/30

FI (5件)：

C08F220/38 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  C08F220/30

Fターム (57件)：

2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF34P ,  2H125AF38P ,  2H125AH06 ,  2H125AH11 ,  2H125AH16 ,  2H125AH19 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AJ04Y ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ14Y ,  2H125AJ48Y ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ64Y ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ65Y ,  2H125AJ70X ,  2H125AJ70Y ,  2H125AL02 ,  2H125AL11 ,  2H125AM66P ,  2H125AM99P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125CA12 ,  2H125CB12 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA03Q ,  4J100BA04R ,  4J100BA05R ,  4J100BA06R ,  4J100BA11R ,  4J100BA20R ,  4J100BA56P ,  4J100BB10P ,  4J100BB17P ,  4J100BB18P ,  4J100BC03R ,  4J100BC04R ,  4J100BC07R ,  4J100BC08R ,  4J100BC09R ,  4J100BC43Q ,  4J100BC48Q ,  4J100BC49Q ,  4J100BC53R ,  4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (2件)

• スルホニウム塩を含む高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-114116   出願人：信越化学工業株式会社
• オニウム塩化合物、それを含む高分子化合物、前記高分子化合物を含む化学増幅型レジスト組成物、および前記組成物を用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-330490   出願人：コリアクンホペトロケミカルカンパニーリミテッド