特許
J-GLOBAL ID:201203016636094549

半導体装置、および配線基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 速水 進治 ,  天城 聡
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-091221
公開番号(公開出願番号):特開2012-227221
出願日: 2011年04月15日
公開日(公表日): 2012年11月15日
要約:
【課題】信頼性の高い半導体装置を実現する。【解決手段】半導体装置100は、配線基板10と、配線基板10上に実装された半導体チップ20と、を備えている。配線基板10は、一面において半導体チップ20と対向する基材52と、配線基板10を、半導体チップ20を除く外部に接続する端子40と、基材52の一面上に設けられ、かつ端子40に接続するダミー配線32と、基材52上およびダミー配線32上に設けられた絶縁膜と、を有している。【選択図】図1
請求項(抜粋):
配線基板と、 前記配線基板上に実装された半導体チップと、 を備え、 前記配線基板は、 一面において前記半導体チップと対向する基材と、 前記配線基板を、前記半導体チップを除く外部に接続する端子と、 前記基材の前記一面上に設けられ、かつ前記端子に接続するダミー配線と、 前記基材上および前記ダミー配線上に設けられた絶縁膜と、 を有する半導体装置。
IPC (2件):
H01L 23/12 ,  H01L 23/32
FI (4件):
H01L23/12 Q ,  H01L23/12 E ,  H01L23/12 501Z ,  H01L23/32 D

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