特許
J-GLOBAL ID：201203016695352551
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-213216
公開番号（公開出願番号）：特開2012-069734
出願日： 2010年09月24日
公開日（公表日）： 2012年04月05日
要約：
【課題】配線層の形成時や支持基板の剥離時に、配線層のずれや基板の割れといった不具合が発生しにくい半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、光の透過が抑制された第1の樹脂層3を支持基板2上に形成し、第1の樹脂層上に熱可塑性樹脂からなる第2の樹脂層4を形成する。第2の樹脂層上に絶縁層5および配線層8を形成し、配線層上に第1の半導体チップ10を実装する。第1の樹脂層にレーザ光を照射して支持基板を剥離し、第2の樹脂層を除去することを特徴とする。【選択図】図13
請求項（抜粋）：
光の透過が抑制された第1の樹脂層を支持基板上に形成し、
前記第1の樹脂層上に熱可塑性樹脂からなる第2の樹脂層を形成し、
前記第2の樹脂層上に絶縁層および配線層を形成し、
前記配線層上に第1の半導体チップを実装し、
前記第1の樹脂層にレーザ光を照射して前記支持基板を剥離し、
前記第2の樹脂層を除去する半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 23/12
, H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
H01L23/12 Z
, H01L25/08 Z
