特許
J-GLOBAL ID：201203017257164978
半導体導波路アレイ素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
酒井 宏明
, 田代 至男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-214262
公開番号（公開出願番号）：特開2012-069800
出願日： 2010年09月24日
公開日（公表日）： 2012年04月05日
要約：
【課題】信頼性および製造歩留まりが高い半導体導波路アレイ素子の製造方法を提供すること。【解決手段】スラブ型光導波路を有する半導体積層構造に複数のトレンチ溝を並べて形成し、前記トレンチ溝により離間されてアレイ状に配列されたリッジ型光導波路を形成する光導波路形成工程と、前記リッジ型光導波路を形成した半導体積層構造の表面を覆い、かつ前記複数のトレンチ溝を埋めるように有機絶縁材料を塗布する塗布工程と、前記有機絶縁材料をウェットエッチングし、前記アレイ状に配列されたリッジ型光導波路の上部を露出させるエッチング工程と、前記複数のトレンチ溝を埋めた有機絶縁材料を硬化させる熱処理工程と、を含み、前記光導波路形成工程において、前記複数のトレンチ溝のうち最も外側に位置する最外トレンチ溝の幅を、前記最外トレンチ溝よりも内側に位置する内側トレンチ溝の幅よりも広くする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
リッジ型光導波路がアレイ状に配列された半導体光導波路アレイ素子の製造方法であって、
スラブ型光導波路を有する半導体積層構造に複数のトレンチ溝を並べて形成し、前記トレンチ溝により離間されてアレイ状に配列されたリッジ型光導波路を形成する光導波路形成工程と、
前記リッジ型光導波路を形成した半導体積層構造の表面を覆い、かつ前記複数のトレンチ溝を埋めるように有機絶縁材料を塗布する塗布工程と、
前記有機絶縁材料をウェットエッチングし、前記アレイ状に配列されたリッジ型光導波路の上部を露出させるエッチング工程と、
前記複数のトレンチ溝を埋めた有機絶縁材料を硬化させる熱処理工程と、
を含み、前記光導波路形成工程において、前記複数のトレンチ溝のうち最も外側に位置する最外トレンチ溝の幅を、前記最外トレンチ溝よりも内側に位置する内側トレンチ溝の幅よりも広くすることを特徴とする半導体導波路アレイ素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (14件)：
5F173AA05
, 5F173AB13
, 5F173AD06
, 5F173AD12
, 5F173AD16
, 5F173AD19
, 5F173AG05
, 5F173AH14
, 5F173AP05
, 5F173AP32
, 5F173AP33
, 5F173AP64
, 5F173AR93
, 5F173AR99
