特許

J-GLOBAL ID：201203017521007967

光電変換素子の製造方法、光電変換素子の製造装置および光電変換素子

発明者： 松島 徳彦 ,  西村 太佑 ,  旗手 淳雄 ,  大隈 丈司 ,  有宗 久雄 ,  橋本 由佳理
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2010061030
公開番号（公開出願番号）：WO2011-001962
出願日： 2010年06月29日
公開日（公表日）： 2011年01月06日
要約：

本発明の光電変換素子の製造方法に係る一実施形態は、半導体層を含む光電変換体を一対の第1および第2電極間に有する構造体について物性異常箇所を特定する特定工程と、前記物性異常箇所を機械加工で分離する分離工程とを具備する。

請求項（抜粋）：

半導体層を含む光電変換体を一対の第1および第2電極間に有する構造体について物性異常箇所を特定する特定工程と、 前記物性異常箇所を機械加工で分離する分離工程と を具備することを特徴とする光電変換素子の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (2件)：

H01L31/04 E ,  H01L31/04 B

Fターム (9件)：

5F151AA05 ,  5F151AA10 ,  5F151CB30 ,  5F151DA07 ,  5F151EA03 ,  5F151EA20 ,  5F151FA02 ,  5F151FA06 ,  5F151GA03