特許

J-GLOBAL ID：201203017877435548

半導体装置の製造方法

発明者： 冨岡 和広
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (17件)： 蔵田 昌俊 ,  高倉 成男 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  井関 守三 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-065020
公開番号（公開出願番号）：特開2012-204408
出願日： 2011年03月23日
公開日（公表日）： 2012年10月22日
要約：

【課題】 信号量の低減を抑制できる磁気抵抗効果によるメモリ素子を具備する半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 コバルト、鉄およびニッケルの少なくとも一つを含む磁性材料を用いた磁気抵抗効果素子を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記磁気抵抗効果素子を形成する工程は、半導体基板1上に、前記磁性材料を含む複数の層4,5,8を具備する積層体3-10を形成する工程と、真空雰囲気中で、塩素を含むガスを用いたプラズマエッチングにより、前記積層体3-10を加工する工程と、前記積層体3-10を加工した後、前記積層体3-10を真空雰囲気中に保持したまま、前記積層体3-10に対してアミノ基を含むガスを用いガス処理を施す工程とを含む。【選択図】 図11

請求項（抜粋）：

コバルト、鉄およびニッケルの少なくとも一つを含む磁性材料を用いた磁気抵抗効果素子を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、 前記磁気抵抗効果素子を形成する工程は、 半導体基板上に、前記磁性材料を含む複数の層を具備する積層体を形成する工程と、 真空雰囲気中で、塩素を含むガスを用いたプラズマエッチングにより、前記積層体を加工する工程と、 前記積層体を加工した後、前記積層体を真空雰囲気中に保持したまま、前記積層体に対してアミノ基を含むガスを用いたガス処理を施す工程と を含むことを特徴する半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 43/12 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824

FI (4件)：

H01L43/12 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447

Fターム (24件)：

4M119AA17 ,  4M119AA19 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD09 ,  4M119DD10 ,  4M119JJ12 ,  5F092AA02 ,  5F092AA11 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB04 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB55 ,  5F092BC03 ,  5F092BC07 ,  5F092BC46 ,  5F092CA08