特許
J-GLOBAL ID：201203018001643280

発光装置の製造方法

発明者：
山田 元量

山田 元量 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-016421
公開番号（公開出願番号）：特開2012-156443
出願日： 2011年01月28日
公開日（公表日）： 2012年08月16日
要約：
【課題】蛍光体層を意図する部位にのみ配置することにより色むらを低減し、さらに光取り出し効率の高い発光装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】表面に導電部材20a、20bを有する基体10を準備する第1の工程と、絶縁基板と半導体層1とを有する発光素子を、絶縁基板を上にした状態で導電部材20a、20bに載置する第2の工程と、導電部材20a、20bの表面を電着法又は静電塗装により反射部材40で被覆する第3の工程と、反射部材40を透光性の絶縁層90で被覆する第4の工程と、絶縁基板を剥離する第5の工程と、前記第5の工程により露出された半導体層1の表面を、電着法又は静電塗装により波長変換部材80で被覆する第6の工程と、を順に有する発光装置の製造方法。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
表面に導電部材を有する基体を準備する第1の工程と、 絶縁基板と半導体層とを有する発光素子を、前記絶縁基板を上にした状態で前記導電部材に載置する第2の工程と、 前記導電部材の表面を電着法又は静電塗装により反射部材で被覆する第3の工程と、 前記反射部材を透光性の絶縁層で被覆する第4の工程と、 前記絶縁基板を剥離する第5の工程と、 前記第5の工程により露出された前記半導体層の表面を、電着法又は静電塗装により波長変換部材で被覆する第6の工程と、 を順に有する発光装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 33/60 ,  H01L 33/62
FI (2件)：
H01L33/00 432 ,  H01L33/00 440
Fターム (21件)：
5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA11 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CB36 ,  5F041DA02 ,  5F041DA03 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA19 ,  5F041DA20 ,  5F041DA34 ,  5F041DA36 ,  5F041DA42 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45 ,  5F041DA47 ,  5F041DA57 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11
引用特許：
出願人引用 (12件)
全件表示
審査官引用 (11件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM