特許
J-GLOBAL ID：201203019810333611
フォトダイオードアレイ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 石田 悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-244686
公開番号（公開出願番号）：特開2012-099580
出願日： 2010年10月29日
公開日（公表日）： 2012年05月24日
要約：
【課題】著しく時間分解能を向上可能なフォトダイオードアレイを提供することを目的とする。【解決手段】 このフォトダイオードアレイ10は、それぞれのアバランシェフォトダイオードAPDに対して直列に接続されたクエンチング抵抗7と、複数のアバランシェフォトダイオードAPDが形成された領域を囲む外周配線WLと、外周配線WLに電気的に接続され、外周配線WLの少なくとも2箇所間をそれぞれが接続する複数の中継配線8とを備えている。個々のアバランシェフォトダイオードAPDのアノード及びカソードの一方は、クエンチング抵抗7を介して、中継配線8のいずれかに電気的に接続され、個々のアバランシェフォトダイオードAPDのアノード及びカソードの他方は、半導体基板に設けられた別の電極6に電気的に接続されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
フォトダイオードアレイにおいて、
半導体基板内に形成された複数のアバランシェフォトダイオードと、
それぞれのアバランシェフォトダイオードに対して直列に接続されたクエンチング抵抗と、
複数の前記アバランシェフォトダイオードが形成された領域を囲む外周配線と、
前記外周配線に電気的に接続され、前記外周配線の少なくとも2箇所間をそれぞれが接続する複数の中継配線と、
を備え、
前記外周配線の単位長さ当たりの抵抗値は、前記中継配線の単位長さ当たりの抵抗値よりも小さく、
個々の前記アバランシェフォトダイオードのアノード及びカソードの一方は、前記クエンチング抵抗を介して、前記中継配線のいずれかに電気的に接続され、
個々の前記アバランシェフォトダイオードのアノード及びカソードの他方は、前記半導体基板に設けられた別の電極に電気的に接続されている、
ことを特徴とするフォトダイオードアレイ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F049MA07
, 5F049MB03
, 5F049NA03
, 5F049NB07
, 5F049RA03
, 5F049SE09
, 5F049SS03
, 5F049UA01
, 5F049UA20
