特許

J-GLOBAL ID：201203019810333611

フォトダイオードアレイ

発明者： 里 健一 ,  山村 和久 ,  大須賀 慎二
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  石田 悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-244686
公開番号（公開出願番号）：特開2012-099580
出願日： 2010年10月29日
公開日（公表日）： 2012年05月24日
要約：

【課題】著しく時間分解能を向上可能なフォトダイオードアレイを提供することを目的とする。【解決手段】 このフォトダイオードアレイ10は、それぞれのアバランシェフォトダイオードAPDに対して直列に接続されたクエンチング抵抗7と、複数のアバランシェフォトダイオードAPDが形成された領域を囲む外周配線WLと、外周配線WLに電気的に接続され、外周配線WLの少なくとも2箇所間をそれぞれが接続する複数の中継配線8とを備えている。個々のアバランシェフォトダイオードAPDのアノード及びカソードの一方は、クエンチング抵抗7を介して、中継配線8のいずれかに電気的に接続され、個々のアバランシェフォトダイオードAPDのアノード及びカソードの他方は、半導体基板に設けられた別の電極6に電気的に接続されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

フォトダイオードアレイにおいて、 半導体基板内に形成された複数のアバランシェフォトダイオードと、 それぞれのアバランシェフォトダイオードに対して直列に接続されたクエンチング抵抗と、 複数の前記アバランシェフォトダイオードが形成された領域を囲む外周配線と、 前記外周配線に電気的に接続され、前記外周配線の少なくとも2箇所間をそれぞれが接続する複数の中継配線と、 を備え、 前記外周配線の単位長さ当たりの抵抗値は、前記中継配線の単位長さ当たりの抵抗値よりも小さく、 個々の前記アバランシェフォトダイオードのアノード及びカソードの一方は、前記クエンチング抵抗を介して、前記中継配線のいずれかに電気的に接続され、 個々の前記アバランシェフォトダイオードのアノード及びカソードの他方は、前記半導体基板に設けられた別の電極に電気的に接続されている、 ことを特徴とするフォトダイオードアレイ。

IPC (1件)：

H01L 31/107

FI (1件)：

H01L31/10 B

Fターム (9件)：

5F049MA07 ,  5F049MB03 ,  5F049NA03 ,  5F049NB07 ,  5F049RA03 ,  5F049SE09 ,  5F049SS03 ,  5F049UA01 ,  5F049UA20