パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高松猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-214564
公開番号（公開出願番号）：特開2012-068544
出願日： 2010年09月24日
公開日（公表日）： 2012年04月05日
要約：

【課題】有機溶剤を含む現像液によるネガ型パターン形成において、感度、現像欠陥低減、パターン形状のいずれにも優れるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。【解決手段】(ア)(A)酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、(C)レジスト組成物の固形分を基準として3質量%以上の、酸の作用により分解して揮発性が向上する化合物とを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、 (イ)該膜を露光する工程、及び (ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むパターン形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(ア)(A)樹脂と、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、(C)レジスト組成物の固形分を基準として3質量%以上の、酸の作用により分解して揮発性が向上する化合物とを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、 (イ)該膜を露光する工程、及び (ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むパターン形成方法。

IPC (7件)：

G03F 7/038 , C07C 69/716 , C07C 69/75 , H01L 21/027 , G03F 7/004 , G03F 7/039 , G03F 7/32

FI (8件)：

G03F7/038 601 , C07C69/716 Z , C07C69/75 Z , H01L21/30 502R , G03F7/004 501 , G03F7/039 601 , G03F7/32 , G03F7/32 501

Fターム (79件)：

2H096AA25 , 2H096BA06 , 2H096EA05 , 2H096GA03 , 2H096GA18 , 2H096JA08 , 2H125AF17P , 2H125AF18P , 2H125AF19P , 2H125AF21P , 2H125AF33P , 2H125AF36P , 2H125AF38P , 2H125AF45P , 2H125AF70P , 2H125AH04 , 2H125AH12 , 2H125AH13 , 2H125AH14 , 2H125AH15 , 2H125AH16 , 2H125AH17 , 2H125AH19 , 2H125AH25 , 2H125AH29 , 2H125AJ12X , 2H125AJ14X , 2H125AJ16Y , 2H125AJ63X , 2H125AJ64X , 2H125AJ65X , 2H125AJ66X , 2H125AJ67X , 2H125AJ68X , 2H125AJ69X , 2H125AJ88Y , 2H125AJ97Y , 2H125AL02 , 2H125AL03 , 2H125AM12P , 2H125AM22P , 2H125AM27P , 2H125AM30P , 2H125AM32P , 2H125AM43P , 2H125AM66P , 2H125AM99P , 2H125AN08P , 2H125AN34P , 2H125AN38P , 2H125AN39P , 2H125AN42P , 2H125AN45P , 2H125AN54P , 2H125AN56P , 2H125AN57P , 2H125AN62P , 2H125AN63P , 2H125AN65P , 2H125AN82P , 2H125AN86P , 2H125AN88P , 2H125BA01P , 2H125BA02P , 2H125BA26P , 2H125BA32P , 2H125BA33P , 2H125CA12 , 2H125CB09 , 2H125CC01 , 2H125CC15 , 2H125FA03 , 4H006AA03 , 4H006AB92 , 4H006BJ20 , 4H006BJ30 , 4H006BR10 , 4H006BR70 , 4H006KC12

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