特許

J-GLOBAL ID：201203021631320510

キャパシタ装置及びその製造方法

発明者： 張 東 烈 ,  辛 和 叔
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 八田国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-178148
公開番号（公開出願番号）：特開2012-044178
出願日： 2011年08月16日
公開日（公表日）： 2012年03月01日
要約：

【課題】キャパシタ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係るキャパシタ装置10は、第1導電型を有して第1電圧が印加される第1ウェル105及び第2導電型を有して第2電圧が印加される第2ウェル110を有する基板100、及び第1または第2ウェル105,110と絶縁されるように第1または第2ウェル105,110の上部に配されたゲート電極126を含み、キャパシタ装置10のキャパシタンスは、第1ウェル105と第2ウェル110との間の第1キャパシタンス及び第1または第2ウェル105,110とゲート電極126との間の第2キャパシタンスを含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1導電型を有して第1電圧が印加される第1ウェル及び第2導電型を有して第2電圧が印加される第2ウェルを有する基板と、 前記第1または第2ウェルと絶縁されるように前記第1または第2ウェルの上部に配されたゲート電極と、を含むキャパシタ装置であって、 前記キャパシタ装置のキャパシタンスは、前記第1ウェルと前記第2ウェルとの間の第1キャパシタンス、及び前記第1または第2ウェルと前記ゲート電極との間の第2キャパシタンスを含むことを特徴とするキャパシタ装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01G 4/33

FI (2件)：

H01L27/04 C ,  H01G4/06 102

Fターム (20件)：

5E082AB10 ,  5E082BB02 ,  5E082EE05 ,  5E082FF20 ,  5F038AC03 ,  5F038AC04 ,  5F038AC05 ,  5F038AC08 ,  5F038AC12 ,  5F038AC14 ,  5F038AC15 ,  5F038AC16 ,  5F038BH03 ,  5F038BH19 ,  5F038CA16 ,  5F038CD14 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ05 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ20