特許

J-GLOBAL ID：201203021795744124

半導体レーザ素子およびその製造方法

発明者： 山崎 智弘 ,  工藤 昭吉 ,  牧田 幸治
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (1件)： 新居 広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-238017
公開番号（公開出願番号）：特開2012-094564
出願日： 2010年10月22日
公開日（公表日）： 2012年05月17日
要約：

【課題】リッジの放熱性を確保するとともに、リッジ直下の活性層に発生する圧縮歪みを抑制することができる窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板10と、基板10の一方の面の上方に形成された第一導電型クラッド層11と、第一導電型クラッド層11の上方に形成された活性層13と、活性層13の上方に形成され、表面にリッジ15aおよび平坦部15bを有する第二導電型クラッド層15と、リッジ15aの側面の下方部および平坦部15b上に形成された誘電体膜17と、基板10の他方の面に形成された第一電極19と、リッジ15aの上方に形成された第二電極20と、リッジ15aおよび平坦部15bを覆うようにして第二電極20上および誘電体膜17上に形成された第三電極21とを有し、リッジ15aの側面の少なくとも一部と第三電極21との間に空洞部18が介在している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板の一方の面の上方に形成された第一導電型クラッド層と、 前記第一導電型クラッド層の上方に形成された活性層と、 前記活性層の上方に形成され、表面にリッジおよび平坦部を有する第二導電型クラッド層と、 前記リッジの側面の下方部および前記平坦部上に形成された誘電体膜と、 前記基板の他方の面に形成された第一電極と、 前記リッジの上方に形成された第二電極と、 前記リッジおよび前記平坦部を覆うようにして前記第二電極上および前記誘電体膜上に形成された第三電極とを有し、 前記リッジの側面の少なくとも一部と前記第三電極との間に空洞部が介在している 半導体レーザ素子。

IPC (1件)：

H01S 5/22

FI (1件)：

H01S5/22

Fターム (12件)：

5F173AA08 ,  5F173AA16 ,  5F173AH22 ,  5F173AK02 ,  5F173AK20 ,  5F173AK21 ,  5F173AL17 ,  5F173AL21 ,  5F173AP05 ,  5F173AP71 ,  5F173AR72 ,  5F173AR96