半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-064484
公開番号（公開出願番号）：特開2012-204366
出願日： 2011年03月23日
公開日（公表日）： 2012年10月22日
要約：

【課題】半導体装置を高温で動作させても封止樹脂の剥離を抑制することができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置100は、半導体素子1と、半導体素子1が実装された回路基板2と、回路基板2が実装された放熱性を有するベース板3と、ベース板3に設置され、かつ回路基板2を囲む空間4を有するケース材5と、ベース板3に設置され、空間4を回路基板2の配置された第1の領域R1とその他の第2の領域とを有するように区画する仕切り板6と、第1の領域R1においては半導体素子1を覆うように、仕切り板6で区画された第1および第2の領域の各々を封止する封止樹脂7とを備えている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体素子と、前記半導体素子が実装された回路基板と、前記回路基板が実装された放熱性を有するベース板と、前記ベース板に設置され、かつ前記回路基板を囲む空間を有するケース材と、前記ベース板に設置され、前記空間を前記回路基板の配置された第1の領域とその他の第2の領域とを有するように区画する仕切り板と、前記第1の領域においては前記半導体素子を覆うように、前記仕切り板で区画された前記第1および第2の領域の各々を封止する封止樹脂とを備えた、半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/28 , H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 23/34

FI (3件)：

H01L23/28 K , H01L25/04 C , H01L23/34 A

Fターム (24件)：

4M109AA01 , 4M109BA07 , 4M109CA05 , 4M109DB09 , 4M109DB15 , 4M109EA02 , 4M109EB02 , 4M109EB04 , 4M109EB06 , 4M109EB16 , 4M109EB19 , 4M109EC03 , 4M109EC04 , 5F136BA30 , 5F136BB04 , 5F136DA26 , 5F136DA27 , 5F136EA15 , 5F136FA02 , 5F136FA03 , 5F136FA14 , 5F136FA16 , 5F136FA18 , 5F136GA22

引用特許：

審査官引用 (7件)

電力用半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-139823 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-081219 出願人：株式会社日立製作所
特開平1-017455

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