ハニカム構造体、Si-SiC系複合材料、ハニカム構造体の製造方法及びSi-SiC系複合材料の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人アイテック国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-053090
公開番号（公開出願番号）：特開2012-214364
出願日： 2012年03月09日
公開日（公表日）： 2012年11月08日
要約：

【課題】より容易に電極部を形成すると共に、体積抵抗率をより低減する。【解決手段】ハニカム構造体20は、流体の流路となる複数のセル23を形成する隔壁部22を備えている。このハニカム構造体20は、隔壁部22の一部に形成されSiC相とSi酸化物とAl酸化物とアルカリ土類金属酸化物とを含む酸化物相と金属Siと金属Alとを含み金属Siと該金属Alとの総量に対する金属Alの割合が0.001mol%以上20mol%以下である金属相とを有する電極部32と、隔壁部22の一部であり電極部32より体積抵抗率が高い発熱部34とを備えている。このハニカム構造体は、SiC相とSi酸化物を含む酸化物相とを有するハニカム基材の一部の表面に、金属Siと金属Alとを含む含浸基材とアルカリ土類金属の化合物とを形成し、不活性雰囲気下で加熱して金属Si及び金属Alをハニカム基材の気孔内に含浸させて得る。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

流体の流路となる複数のセルを形成する隔壁部を備えたハニカム構造体であって、前記隔壁部の一部に形成され、SiC相と、Si酸化物とAl酸化物とアルカリ土類金属酸化物とを含む酸化物相と、金属Siと金属Alとを含み該金属Siと該金属Alとの総量に対する金属Alの割合が0.001mol%以上20mol%以下である金属相とを有する電極部と、前記隔壁部の一部であり、前記電極部より体積抵抗率が高い発熱部と、を備えた、ハニカム構造体。

IPC (7件)：

C04B 41/85 , C04B 41/88 , C04B 38/00 , C04B 35/565 , B01J 35/04 , B01J 37/02 , B01J 37/08

FI (8件)：

C04B41/85 C , C04B41/88 U , C04B38/00 303Z , C04B35/56 101X , B01J35/04 301P , B01J35/04 301Z , B01J37/02 101C , B01J37/08

Fターム (41件)：

4G001BA05 , 4G001BA07 , 4G001BA22 , 4G001BA62 , 4G001BB03 , 4G001BB04 , 4G001BB05 , 4G001BB07 , 4G001BB22 , 4G001BB62 , 4G001BC72 , 4G001BE33 , 4G019FA12 , 4G169AA01 , 4G169AA08 , 4G169AA09 , 4G169BA01A , 4G169BA02A , 4G169BA06A , 4G169BA42C , 4G169BB04A , 4G169BB08C , 4G169BB15A , 4G169BC08A , 4G169BC09A , 4G169BC12A , 4G169BD05A , 4G169BD15C , 4G169CA02 , 4G169CA03 , 4G169DA06 , 4G169EA18 , 4G169FA01 , 4G169FB14 , 4G169FB18 , 4G169FB29 , 4G169FB30 , 4G169FB49 , 4G169FC04 , 4G169FC07 , 4G169FC08

前のページに戻る