特許
J-GLOBAL ID:201203022610091460

ハンドル基板及びバイパスダイオードを組み合わせた太陽電池アセンブリ、及び方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 園田 吉隆 ,  小林 義教
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-502173
公開番号(公開出願番号):特表2012-522377
出願日: 2010年03月23日
公開日(公表日): 2012年09月20日
要約:
太陽電池アセンブリ及び方法が開示される。太陽電池アセンブリは、前面及び背面を有する基板を備え、この基板は、逆バイアス保護を行なうpn接合を有し、且つバイパスダイオードとして機能する。太陽電池アセンブリは、更に、複数の太陽電池層を有する多接合太陽電池を備え、この多接合太陽電池は、第1表面及び第2表面を有し、第1表面は基板の前面に取り付けられる。太陽電池アセンブリは、更に、基板の前面、及び多接合太陽電池の第1表面に隣接して配置される電気接続素子と、基板の背面に接続される第1コンタクトと、多接合太陽電池の第2表面の一部に接続される少なくとも一つの第2コンタクトとを備える。
請求項(抜粋):
前面及び背面を有する基板であって、逆バイアス保護を行なうpn接合を有し、且つバイパスダイオードとして機能する基板と、 複数の太陽電池層を有する多接合太陽電池であって、第1表面及び第2表面を有し、基板の前面に取り付けられている多接合太陽電池と、 一部が基板の前面及び多接合太陽電池の第1表面に隣接して配置されている電気接続素子と、 基板の背面に接続される第1コンタクトと、 多接合太陽電池の第2表面の一部に接続される少なくとも一つの第2コンタクトと を備える太陽電池アセンブリ。
IPC (1件):
H01L 31/04
FI (1件):
H01L31/04 Y
Fターム (8件):
5F151AA08 ,  5F151BA02 ,  5F151BA11 ,  5F151EA19 ,  5F151GA02 ,  5F151GA04 ,  5F151GA20 ,  5F151JA08
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開昭59-214270
  • 特開昭59-214270

前のページに戻る