特許

J-GLOBAL ID：201203022695715255

成膜方法およびスパッタリング装置

発明者： 川又 由雄 ,  宇都宮 信明 ,  伊藤 昭彦
出願人/特許権者： 芝浦メカトロニクス株式会社
代理人 (6件)： 日向寺 雅彦 ,  小崎 純一 ,  市川 浩 ,  本間 惣一 ,  日比野 幸信 ,  白井 達哲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-210830
公開番号（公開出願番号）：特開2012-067331
出願日： 2010年09月21日
公開日（公表日）： 2012年04月05日
要約：

【課題】スパッタリング法により、不連続被膜を形成する。【解決手段】真空槽内で基板とターゲットとを対向させ、スパッタリング法により、前記基板上に成膜処理をする成膜方法であって、前記ターゲットの表面温度が常温よりも所定温度以上になるように制御し、前記ターゲットの表面温度を所定温度としない場合に比べ、高抵抗な被膜を前記基板上に成膜する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

真空槽内で基板とターゲットとを対向させ、スパッタリング法により、前記基板上に成膜をする成膜方法であって、 前記ターゲットの表面温度が常温よりも高い所定温度になるように制御し、 前記ターゲットの表面温度を前記所定温度としない場合に比べ、高抵抗な被膜を前記基板上に形成することを特徴とする成膜方法。

IPC (1件)：

C23C 14/34

FI (1件)：

C23C14/34 S

Fターム (11件)：

4K029BA15 ,  4K029BB03 ,  4K029BC05 ,  4K029BD06 ,  4K029CA05 ,  4K029DC24 ,  4K029DC39 ,  4K029JA02 ,  5G323BA01 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05