特許
J-GLOBAL ID:201203022916066699

EUVL用マスクの製造方法および半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 筒井 大和 ,  菅田 篤志 ,  筒井 章子 ,  中原 亨 ,  坂次 哲也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-208018
公開番号(公開出願番号):特開2012-064770
出願日: 2010年09月16日
公開日(公表日): 2012年03月29日
要約:
【課題】的確に吸収体パターンの修正を行うことにより、EUVL用マスクの製造歩留まりを向上させる。【解決手段】マスクブランクに対して露光波長暗視野検査を行い、検出された信号強度からマスクブランクに存在する位相欠陥の位置を特定し、位置座標として登録する。次に、AFMにより欠陥位置のマスクブランクの表面形状の1回目の計測を行った後、マスクブランクの表面に吸収体パターンを形成し、さらにAFMにより欠陥位置のマスクブランクの表面形状の2回目の計測を行う。次に、吸収体パターンの位置と位相欠陥の位置との関係を特定した後、吸収体パターンと位相欠陥との位置関係および位相欠陥の形状から、吸収体パターンの加工形状および加工量を決定して、吸収体パターンを加工する。【選択図】図2
請求項(抜粋):
マスクブランクの表面に吸収体パターンが形成されたEUVL用マスクの製造方法であって、以下の工程を含むことを特徴とするEUVL用マスクの製造方法: (a)マスク基板の外観検査を行う工程; (b)前記マスク基板の表面に多層膜を被着して前記マスクブランクを作製する工程; (c)前記マスクブランクに対して集光光学系を介した光学式検査を行い、前記マスクブランクに存在する位相欠陥を示す第1信号強度を検出する工程; (d)前記第1信号強度を検出した座標を、前記位相欠陥の位置座標として登録する工程; (e)1回目の表面形状計測を行うことにより、前記位相欠陥の前記位置座標で示された前記マスクブランクの表面形状を計測する工程; (f)前記マスクブランクの表面に前記吸収体パターンを形成する工程; (g)2回目の表面形状計測を行うことにより、前記位相欠陥の前記位置座標で示された前記マスクブランクの表面形状を計測する工程; (h)前記吸収体パターンの位置と前記位相欠陥の位置との関係を、前記(e)工程の前記1回目の表面形状計測により得られたデータおよび前記(g)工程の前記2回目の表面形状計測により得られたデータから特定する工程; (i)前記吸収体パターンと前記位相欠陥との位置関係、および前記(e)工程の前記1回目の表面形状計測により得られたデータに前記(c)工程の前記集光光学系を介した光学式検査により得られた前記第1信号強度を基にした補正を加えた前記位相欠陥の形状から、前記吸収体パターンの加工形状および加工量を決定する工程; (j)前記(i)工程の決定に基づいて、前記吸収体パターンを加工する工程。
IPC (2件):
H01L 21/027 ,  G03F 1/72
FI (2件):
H01L21/30 531M ,  G03F1/16 G
Fターム (7件):
2H095BA10 ,  2H095BD01 ,  2H095BD31 ,  5F046GD10 ,  5F046GD11 ,  5F146GD00 ,  5F146GD11

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