特許

J-GLOBAL ID：201203022925381645

磁性体含有絶縁体の製造方法

発明者： 大見 忠弘 ,  森本 明大
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学
代理人 (2件)： 池田 憲保 ,  福田 修一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-283880
公開番号（公開出願番号）：特開2012-124165
出願日： 2011年12月26日
公開日（公表日）： 2012年06月28日
要約：

【課題】 磁性体の混合濃度を比較的大きくすることなく、透磁率増加の効果を得ることができ、これによって得られた磁性体含有絶縁体を回路基板に適用することで、特性インピーダンスを向上することができ、低消費電力化の効果を得ることができる磁性体含有絶縁体の製造方法を提供すること。【解決手段】 樹脂ワニスと磁性体を溶剤に分散したスラリーを混合し、塗布、乾燥、焼成を行うことによって得られる磁性体含有絶縁体の製造方法であって、 前記スラリーの製造工程は、溶剤に界面活性剤を添加した分散溶剤を製造する工程と、該分散溶剤に磁性体微粉を混合する工程、とからなり、前記磁性体微粉を混合する工程は、前記スクリュー攪拌を行う工程と、100kHz未満の周波数の超音波を照射する工程と、100kHz以上の周波数の超音波を照射する工程とを有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

樹脂ワニスと磁性体を溶剤に分散したスラリーを混合し、塗布、乾燥、焼成を行うことによって得られる磁性体含有絶縁体の製造方法であって、 前記スラリーの製造工程は、溶剤に界面活性剤を添加した分散溶剤を製造する工程と、該分散溶剤に磁性体微粉を混合する工程、とからなり、前記磁性体微粉を混合する工程は、前記スクリュー攪拌を行う工程と、超音波を照射する工程とを有することを特徴とする磁性体含有絶縁体の製造方法。

IPC (4件)：

H01B 19/00 ,  H01B 3/00 ,  H01F 1/26 ,  H05K 1/03

FI (4件)：

H01B19/00 ,  H01B3/00 A ,  H01F1/26 ,  H05K1/03 610R

Fターム (31件)：

5E041AA11 ,  5E041AA14 ,  5E041AA17 ,  5E041BB03 ,  5E041NN03 ,  5E041NN15 ,  5E041NN17 ,  5G303AA05 ,  5G303AA07 ,  5G303AB20 ,  5G303BA02 ,  5G303BA12 ,  5G303CA09 ,  5G303CA11 ,  5G303CB09 ,  5G303CB13 ,  5G303CB23 ,  5G303CC01 ,  5G303CC08 ,  5G303DA02 ,  5G303DA05 ,  5G303DA06 ,  5G333AA05 ,  5G333AB12 ,  5G333AB13 ,  5G333BA01 ,  5G333DA01 ,  5G333DA03 ,  5G333DA04 ,  5G333DB01 ,  5G333DB05

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 磁性体含有絶縁体およびそれを用いた回路基板ならびに電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-082653   出願人：国立大学法人東北大学
• 電気伝導性ポリマー組成物
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-555039   出願人：スティッチングダッチポリマーインスティテュート