特許

J-GLOBAL ID：201203024332825698

SiC単結晶の製造方法

発明者： 山形 則男 ,  野村 忠雄 ,  美濃輪 武久
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-263930
公開番号（公開出願番号）：特開2012-111669
出願日： 2010年11月26日
公開日（公表日）： 2012年06月14日
要約：

【課題】溶液内のC溶解度を高めてSiC単結晶の成長速度を向上させると共に、単結晶の成長に伴うSiC成分の消費等による溶液の組成変動を抑制し、単結晶成長のための条件を安定させることができるSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】黒鉛るつぼ10内の底部にSiC種結晶20を設置すると共に、るつぼ10内にSiとCとX(XはSc及びYを除く遷移金属、Al、Ge及びSnから選ばれる1種以上)を含む溶液30を存在させ、溶液30を過冷却させて種結晶20上にSiC単結晶を成長させると共に、SiC単結晶を成長させながら黒鉛るつぼ10の上部から溶液30に粉末状もしくは粒状のSi及び/又はSiC原料41を添加する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

黒鉛るつぼ内の底部にSiC種結晶を設置すると共に、このるつぼ内にSiとCとX(XはSc及びYを除く遷移金属、Al、Ge及びSnから選ばれる1種以上)を含む溶液を存在させ、この溶液を過冷却させて前記種結晶上にSiC単結晶を成長させると共に、該SiC単結晶を成長させながら前記黒鉛るつぼの上部から前記溶液に粉末状もしくは粒状のSi及び/又はSiC原料を添加することを特徴とするSiC単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/36 ,  C30B 11/00 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B29/36 A ,  C30B11/00 Z ,  H01L21/208 D

Fターム (27件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CD02 ,  4G077EA05 ,  4G077EA06 ,  4G077EC08 ,  4G077EG02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077MA02 ,  4G077MB04 ,  4G077MB35 ,  5F053AA12 ,  5F053AA26 ,  5F053AA33 ,  5F053AA45 ,  5F053BB04 ,  5F053BB15 ,  5F053BB38 ,  5F053DD02 ,  5F053FF05 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053HH10 ,  5F053LL10 ,  5F053RR03 ,  5F053RR04