特許

J-GLOBAL ID：201203025038071258

液処理装置、液処理方法及び記憶媒体

発明者： 東島 治郎 ,  天野 嘉文
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (2件)： 井上 俊夫 ,  瀧澤 宣明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-196265
公開番号（公開出願番号）：特開2012-084856
出願日： 2011年09月08日
公開日（公表日）： 2012年04月26日
要約：

【課題】短時間で被処理基板の周縁部の温度を上げて薬液による処理効率を高めることが可能な液処理装置などを提供する。【解決手段】鉛直軸周りに回転する被処理基板Wに、薬液供給部62から薬液を供給して液処理を行う液処理装置1において、被処理基板Wの上面に空間を介して対向するように設けられたカバー部材5には、ガス供給口51が設けられており、このガス供給口51から空間に向けてガスを供給する。このガスはカバー部材51の周縁部に下方側に突出して設けられた突出部と被処理基板Wとの隙間を介して当該空間から流出する。さらにこの空間には被処理基板Wの周縁部を加熱するランプヒーター61が被処理基板Wの周方向に沿って配置されており、薬液供給部62から供給される薬液はこのランプヒーター61の配置位置よりも周縁部寄りに供給される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被処理基板を基板保持部に水平に保持して鉛直軸周りに回転させながら薬液により液処理を行う液処理装置において、 回転している被処理基板の周縁部に薬液を供給する薬液供給部と、 前記基板保持部に保持された被処理基板の上面に、空間を介して対向するように設けられたカバー部材と、 このカバー部材に設けられた、前記空間にガスを供給するためのガス供給口と、 前記被処理基板の周縁部を加熱するために、前記空間内に被処理基板の周方向に沿って配置されたランプヒーターと、 前記カバー部材の周縁部に周方向に沿って下方側に突出して設けられ、前記被処理基板との間に、前記ランプヒーターが配置されている空間の被処理基板とカバー部材との間の高さ寸法よりも小さい高さ寸法の隙間を形成するための突起部と、を備え、 前記薬液供給部から被処理基板への薬液の供給位置は、前記ランプヒーターの配置位置よりも周縁部寄りであることを特徴とする液処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

H01L21/304 643A ,  H01L21/30 569C ,  H01L21/304 651M ,  H01L21/306 Z

Fターム (23件)：

5F043AA40 ,  5F043DD07 ,  5F043DD08 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043GG10 ,  5F146LA03 ,  5F157AA12 ,  5F157AA76 ,  5F157AB02 ,  5F157AB33 ,  5F157AB90 ,  5F157AC01 ,  5F157AC03 ,  5F157BB22 ,  5F157BB66 ,  5F157BB75 ,  5F157BE46 ,  5F157CB01 ,  5F157CB13 ,  5F157CB24 ,  5F157DB02 ,  5F157DB34