特許

J-GLOBAL ID：201203025161876805

Siインゴット結晶の製造方法

発明者： 中嶋 一雄 ,  森下 浩平 ,  沓掛 健太朗
出願人/特許権者： 国立大学法人京都大学
代理人 (2件)： 内野 春喜 ,  内野 雅子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-093418
公開番号（公開出願番号）：特開2012-224505
出願日： 2011年04月19日
公開日（公表日）： 2012年11月15日
要約：

【課題】Siインゴット結晶の製造に際し、融液内成長においてSiインゴット結晶を大きく成長させることができるとともに、歪みが十分低減され、かつ生産効率が良いSiインゴット結晶の製造方法を提供する。【解決手段】Siインゴット結晶のルツボ融液内成長において、融液上部よりも下部の方が高温となる温度分布を有するSi融液の表面近傍でSi種結晶を用いて核形成させ、Si種結晶からSi融液の表面に沿って又は内部に向かってインゴット結晶を成長させる第1の工程と、成長したインゴット結晶の一部を融液内から融液と分離しない程度に引き上げる第2の工程と、融液内に残った結晶からSi融液の表面に沿って又は内部に向かってインゴット結晶を引き続き成長させる第3の工程とを含み、上記第2及び第3の工程を順次複数回繰り返してインゴット結晶を成長させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Siインゴット結晶のルツボ融液内成長において、融液上部よりも下部の方が高温となる温度分布を有するSi融液の表面近傍でSi種結晶を用いて核形成させ、Si種結晶からSi融液の表面に沿って又は内部に向かってインゴット結晶を成長させる第1の工程と、成長したインゴット結晶の一部を融液内から融液と分離しない程度に引き上げる第2の工程と、融液内に残った結晶からSi融液の表面に沿って又は内部に向かってインゴット結晶を引き続き成長させる第3の工程とを含み、上記第2及び第3の工程を順次複数回繰り返してインゴット結晶を成長させることを特徴とするSiインゴット結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/06 ,  C30B 15/22 ,  C01B 33/02

FI (3件)：

C30B29/06 502Z ,  C30B15/22 ,  C01B33/02 E

Fターム (34件)：

4G072AA01 ,  4G072BB01 ,  4G072BB11 ,  4G072BB12 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072MM38 ,  4G072NN01 ,  4G072NN03 ,  4G072UU02 ,  4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EA01 ,  4G077EG01 ,  4G077EG12 ,  4G077EG25 ,  4G077EG27 ,  4G077EG29 ,  4G077EH04 ,  4G077EH06 ,  4G077EH07 ,  4G077EH08 ,  4G077EH09 ,  4G077HA01 ,  4G077HA05 ,  4G077HA12 ,  4G077PA11 ,  4G077PD02 ,  4G077PF08 ,  4G077PF16 ,  4G077PF17 ,  4G077PG01 ,  4G077PG03

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 単結晶の引上げ方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-026260   出願人：コバレントマテリアル株式会社
• Si結晶インゴットの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-180842   出願人：国立大学法人東北大学
• 半導体結晶製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-031581   出願人：日立電線株式会社

審査官引用 (1件)

• 単結晶の引上げ方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-026260   出願人：コバレントマテリアル株式会社