特許

J-GLOBAL ID：201203025197535109

ナノワイヤデバイスの製造方法

発明者： 後藤 肇 ,  福井 孝志 ,  登坂 仁一郎
出願人/特許権者： 本田技研工業株式会社 ,  国立大学法人北海道大学
代理人 (1件)： 特許業務法人創成国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-201329
公開番号（公開出願番号）：特開2012-056015
出願日： 2010年09月08日
公開日（公表日）： 2012年03月22日
要約：

【課題】半導体の接合や商品設計の面で優れた自由度を得ることができるナノワイヤデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1の表面に、結晶をエピタキシャル成長させて複数のナノワイヤ状半導体2を形成する。ナノワイヤ状半導体2の間隙に充填剤5を充填してナノワイヤ状半導体2を埋設し、ナノワイヤ状半導体-充填剤複合体6を形成する。半導体基板6から、ナノワイヤ状半導体-充填剤複合体6を剥離して、ナノワイヤ状半導体アレイ9,10,11,13,14,15を形成する。ナノワイヤ状半導体-充填剤複合体6の剥離は、充填剤5上に支持基板8を形成した後、外力により行う。又は、充填剤5の熱収縮応力によりナノワイヤ状半導体-充填剤複合体6を剥離した後、充填剤5上に支持基板8を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に、結晶をエピタキシャル成長させて複数のナノワイヤ状半導体を形成する工程と、 該ナノワイヤ状半導体の間隙に充填剤を充填して該ナノワイヤ状半導体を埋設し、ナノワイヤ状半導体-充填剤複合体を形成する工程と、 該ナノワイヤ状半導体-充填剤複合体の該半導体基板と反対側の面に支持基板を形成する工程と、 該半導体基板から、外力により該ナノワイヤ状半導体-充填剤複合体を剥離して、該ナノワイヤ状半導体-充填剤複合体及び該支持基板を備えるナノワイヤ状半導体アレイを形成する工程とを備えることを特徴とするナノワイヤデバイスの製造方法。

IPC (4件)：

B82B 3/00 ,  C23C 16/30 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

B82B3/00 ,  C23C16/30 ,  H01L21/205 ,  H01L31/04 E

Fターム (24件)：

4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA17 ,  4K030BA11 ,  4K030BA51 ,  4K030BB14 ,  4K030CA04 ,  4K030CA17 ,  4K030DA02 ,  4K030DA05 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB12 ,  5F045AC08 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF06 ,  5F045DB02 ,  5F045GH08 ,  5F045HA11 ,  5F151AA08 ,  5F151CB12