シリコン膜の形成方法およびその形成装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木村満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-093279
公開番号（公開出願番号）：特開2012-004542
出願日： 2011年04月19日
公開日（公表日）： 2012年01月05日
要約：

【課題】ボイドの発生を抑制することができるシリコン膜の形成方法およびその形成装置を提供する。【解決手段】シリコン膜の形成方法は、第1成膜工程と、エッチング工程と、第2成膜工程とを備えている。第1成膜工程では、被処理体の溝を埋め込むようにシリコン膜を成膜する。エッチング工程では、第1成膜工程で成膜されたシリコン膜をエッチングして前記溝の開口部を広げる。第2成膜工程では、エッチング工程で開口部が広げられた溝にシリコン膜を埋め込むように成膜する。これにより、表面に溝が形成された被処理体の溝にシリコン膜を形成する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

表面に溝が形成された被処理体の溝にシリコン膜を形成するシリコン膜の形成方法であって、前記被処理体の溝を埋め込むようにシリコン膜を成膜する第1成膜工程と、前記第1成膜工程で成膜されたシリコン膜をエッチングして前記溝の開口部を広げるエッチング工程と、前記エッチング工程で開口部が広げられた溝にシリコン膜を埋め込むように成膜する第2成膜工程と、を備える、ことを特徴とするシリコン膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , H01L 21/306 , C23C 16/24

FI (3件)：

H01L21/205 , H01L21/302 101F , C23C16/24

Fターム (53件)：

4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030BA29 , 4K030BB12 , 4K030BB13 , 4K030CA04 , 4K030CA11 , 4K030DA02 , 4K030FA10 , 4K030HA03 , 4K030HA04 , 4K030LA15 , 5F004BA19 , 5F004BB16 , 5F004BB24 , 5F004BB26 , 5F004DA00 , 5F004DA04 , 5F004DA17 , 5F004DA20 , 5F004DB02 , 5F004DB03 , 5F004EA38 , 5F045AA03 , 5F045AA04 , 5F045AA06 , 5F045AB03 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC19 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AF03 , 5F045AF12 , 5F045DP19 , 5F045DP28 , 5F045DQ05 , 5F045EB12 , 5F045EF02 , 5F045EK06 , 5F045EM10 , 5F045HA03 , 5F045HA06 , 5F045HA13 , 5F045HA23

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体基板とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-268960 出願人：株式会社デンソー
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-124815 出願人：日本電気株式会社
微小特徴部位において欠陥を減少させたシリコン又はシリコンゲルマニウムの堆積
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-002743 出願人：東京エレクトロン株式会社

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