特許

J-GLOBAL ID：201203025954890434

不揮発性抵抗変化素子

発明者： 宮川 英典 ,  藤井 章輔 ,  高島 章 ,  松下 大介
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-032875
公開番号（公開出願番号）：特開2012-174754
出願日： 2011年02月18日
公開日（公表日）： 2012年09月10日
要約：

【課題】電極との間で金属の出し入れが行われることで可逆的に抵抗が変化される抵抗変化層の絶縁性の劣化を抑制する。【解決手段】抵抗変化層2は半導体元素を有し、第2電極4の金属元素が出し入れされることで可逆的に抵抗変化が可能で、誘電体層3は、第2電極4と抵抗変化層2との間に挿入され、抵抗変化層2よりも第2電極4の金属元素の拡散係数が小さい。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1電極と、 金属元素を有する第2電極と、 前記第1電極と前記第2電極との間に配置され、前記金属元素が出入りすることで可逆的に抵抗変化が可能で半導体元素を有する抵抗変化層と、 前記第2電極と前記抵抗変化層との間に挿入され、前記抵抗変化層よりも前記金属元素の拡散係数が小さい誘電体層とを備えることを特徴とする不揮発性抵抗変化素子。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (3件)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

Fターム (21件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083GA11 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083JA31 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083LA10 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR05 ,  5F083PR36