特許

J-GLOBAL ID：201203026944280324

光電変換素子

発明者： 日比野 栄子 ,  山賀 匠 ,  宮川 聡志
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (2件)： 武井 秀彦 ,  吉村 康男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-059733
公開番号（公開出願番号）：特開2012-195512
出願日： 2011年03月17日
公開日（公表日）： 2012年10月11日
要約：

【課題】有機半導体のように電荷の拡散長が十分長くない光電変換材料を用いた場合でも、十分な光を吸収できるように膜厚を厚くして光電変換効率を高めることができるようにすること。【解決手段】 少なくとも電子集電電極、光電変換層、正孔集電電極から構成される光電変換素子であり、電子集電電極、もしくは、正孔集電電極のいずれか一方は透明なナノ構造体電極を有することを特徴とする光電変換素子。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも電子集電電極、光電変換層、正孔集電電極から構成される光電変換素子であり、電子集電電極、もしくは、正孔集電電極のいずれか一方は透明なナノ構造体電極を有することを特徴とする光電変換素子。

IPC (1件)：

H01L 51/42

FI (1件)：

H01L31/04 D

Fターム (12件)：

5F151AA11 ,  5F151CB27 ,  5F151DA03 ,  5F151FA02 ,  5F151FA03 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151FA08 ,  5F151FA13 ,  5F151FA15 ,  5F151FA18 ,  5F151GA03