特許

J-GLOBAL ID：201203027943625677

半導体発光装置

発明者： 今津 健二
出願人/特許権者： シチズンホールディングス株式会社 ,  シチズン電子株式会社
代理人 (2件)： 宮島 明 ,  土屋 繁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-152764
公開番号（公開出願番号）：特開2012-015438
出願日： 2010年07月05日
公開日（公表日）： 2012年01月19日
要約：

【課題】熱伝導性や生産性、実装面積に対するメリットから回路基板上にLED素子とともに、静電気による破壊を防止するためのツェナーダイオードをフリップチップ実装することがある。このときツェナーダイオードの反射率が低いためLED装置の発光効率が低下する。【解決手段】回路基板12の上面にLED素子13をフリップチップ実装するとともに、回路基板12の上面に設けられた凹部にツェナーダイオード17をフリップチップ実装し、白インク18で回路基板12の上面とともにツェナーダイオード17を覆う。この結果、ツェナーダイオード17による反射損失がなくなるのでLED装置10の発光効率が改善する。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

回路基板上に半導体発光素子とともに保護素子がフリップチップ実装される半導体発光装置において、 前記半導体発光素子と前記保護素子が前記回路基板の電極と接続するためのバンプを備え、 前記回路基板が凹部を有し、該凹部に前記保護素子が配置され、該保護素子を白インクで覆うことを特徴とする半導体発光装置。

IPC (1件)：

H01L 33/60

FI (1件)：

H01L33/00 432

Fターム (9件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA20 ,  5F041DA43 ,  5F041DA83