特許
J-GLOBAL ID：201203028096210771
GaN結晶の成長方法およびGaN結晶基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-215164
公開番号（公開出願番号）：特開2012-066983
出願日： 2010年09月27日
公開日（公表日）： 2012年04月05日
要約：
【課題】主面が(0001)面から20°以上90°以下で傾斜しているGaN種結晶基板上にGaN結晶を成長させても、積層欠陥の発生が抑制されるGaN結晶の成長方法を提供する。【解決手段】本GaN結晶の成長方法は、主面10mが(0001)面10cから20°以上90°以下で傾斜しているGaN種結晶基板10を準備する工程と、GaN種結晶基板10上にGaN結晶20を成長させる工程と、を備え、GaN種結晶基板10の不純物濃度とGaN結晶20の不純物濃度との差が3×1018cm-3以下である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
主面が(0001)面から20°以上90°以下で傾斜しているGaN種結晶基板を準備する工程と、
前記GaN種結晶基板上にGaN結晶を成長させる工程と、を備え、
前記GaN種結晶基板の不純物濃度と前記GaN結晶の不純物濃度との差が3×1018cm-3以下であるGaN結晶の成長方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (38件)：
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077AB02
, 4G077BE15
, 4G077DB05
, 4G077EB01
, 4G077ED04
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077FG11
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 5F045AA01
, 5F045AA02
, 5F045AA03
, 5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AC12
, 5F045AC13
, 5F045AC15
, 5F045AC18
, 5F045AD14
, 5F045AF04
, 5F045AF13
, 5F045AF17
, 5F045BB12
, 5F045BB14
, 5F045CA09
, 5F045DA59
, 5F045DA67
, 5F045DP04
, 5F045DQ06
, 5F045DQ08
, 5F045EC05
, 5F045EK03
, 5F045EK06
, 5F045EK11
