特許

J-GLOBAL ID：201203028199677821

光水分解用電極、光水分解用電極の製造方法、および、水分解方法

発明者： 堂免 一成 ,  嶺岸 耕 ,  久保田 純 ,  横山 大輔 ,  守谷 真琴 ,  瀬戸山 亨
出願人/特許権者： 株式会社三菱ケミカルホールディングス ,  国立大学法人 東京大学
代理人 (3件)： 星野 哲郎 ,  山下 昭彦 ,  岸本 達人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-190912
公開番号（公開出願番号）：特開2012-046385
出願日： 2010年08月27日
公開日（公表日）： 2012年03月08日
要約：

【課題】希少金属であるインジウムを含まないp型光半導体とn型光半導体との好適な組み合わせを見出し、これらを組み合わせることで、高性能の光水分解用電極を提供する。【解決手段】集電極(10)上に、p型半導体(20)、n型半導体(30)、反応助触媒(40)の順に積層された光水分解用電極において、p型半導体(20)を、Cu、Ga及びカルコゲン元素からなる化合物とし、これらの元素の含有比を、Ga/Cu=1+2v、(カルコゲン元素)/Cu=2+3v、(vは、0.5≦v≦2である。)とし、かつn型半導体(30)を、ZnSとする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

集電極上に、p型半導体、n型半導体、反応助触媒の順に積層された光水分解用電極であって、 前記p型半導体が、Cu、Ga及びカルコゲン元素からなる化合物であり、これら構成元素の含有比が下記式を満たし、 Ga/Cu=1+2v(1) (カルコゲン元素)/Cu=2+3v(2) (vは、0.5≦v≦2である。) かつ前記n型半導体がZnSである、光水分解用電極。

IPC (2件)：

C01B 3/04 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

C01B3/04 A ,  H01L31/04 Z

Fターム (11件)：

5F151AA09 ,  5F151AA10 ,  5F151DA03 ,  5F151DA07 ,  5F151FA14 ,  5F151FA30 ,  5F151HA20 ,  5F151JA30 ,  5H027AA02 ,  5H027BA11 ,  5H027DD05