特許

J-GLOBAL ID：201203028949498193

MEMSデバイス

発明者： 橘 宏明 ,  河野 清彦 ,  入江 健一
出願人/特許権者： パナソニック電工株式会社
代理人 (4件)： 西川 惠清 ,  水尻 勝久 ,  坂口 武 ,  北出 英敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-167527
公開番号（公開出願番号）：特開2012-024897
出願日： 2010年07月26日
公開日（公表日）： 2012年02月09日
要約：

【課題】パッドから取り出す電気信号のS/N比を向上させることが可能なMEMSデバイスを提供する。【解決手段】SOI基板100を用いて形成されたミラー形成基板(デバイス本体)1を備える。ミラー形成基板1は、第1のシリコン層100aに形成され電気信号を生成する可動電極(機能部)22と、第1のシリコン層100a上に形成され電気信号を取り出すためのパッド13aと、第1のシリコン層100aにおいてパッド13aが形成された島状の導電部11acとを有する。導電部11acと第1のシリコン層100aにおける導電部11acの周辺部位とを絶縁分離するように第1のシリコン層100aに第1の分離部10aaが形成され、第2のシリコン層100bのうち導電部11acおよび絶縁層100cとともに寄生コンデンサを構成する部分の面積を低減するように第2のシリコン層100bに第2の分離部10bが形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1のシリコン層と第2のシリコン層との間に絶縁層が介在するSOI基板を用いて形成されたデバイス本体を備え、前記デバイス本体は、前記第1のシリコン層に形成され電気信号を生成する機能部と、前記第1のシリコン層上に形成され前記電気信号を取り出すためのパッドと、前記第1のシリコン層において前記パッドが形成された島状の導電部とを有し、前記導電部と前記第1のシリコン層における前記導電部の周辺部位とを絶縁分離するように前記第1のシリコン層における前記絶縁層側とは反対の表面から前記絶縁層に達する第1の分離部が形成され、前記第2のシリコン層のうち前記導電部および前記絶縁層とともに寄生コンデンサを構成する部分の面積を低減するように前記第2のシリコン層における前記絶縁層側とは反対の表面から前記絶縁層に達する第2の分離部が形成されてなることを特徴とするMEMSデバイス。

IPC (3件)：

B81B 3/00 ,  G02B 26/08 ,  B81B 7/02

FI (3件)：

B81B3/00 ,  G02B26/08 E ,  B81B7/02

Fターム (29件)：

2H141MA12 ,  2H141MB24 ,  2H141MC07 ,  2H141MD12 ,  2H141MD16 ,  2H141MF05 ,  2H141MG06 ,  2H141MZ12 ,  2H141MZ16 ,  2H141MZ18 ,  2H141MZ26 ,  3C081AA01 ,  3C081BA07 ,  3C081BA28 ,  3C081BA32 ,  3C081BA44 ,  3C081BA47 ,  3C081BA53 ,  3C081CA02 ,  3C081CA05 ,  3C081CA14 ,  3C081CA27 ,  3C081CA28 ,  3C081CA33 ,  3C081DA04 ,  3C081DA22 ,  3C081DA24 ,  3C081DA27 ,  3C081EA08