特許

J-GLOBAL ID：201203029329878049

半導体装置、カメラモジュールおよび半導体装置の製造方法

発明者： 谷田 一真 ,  山口 直子 ,  本郷 悟史 ,  沼田 英夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-131803
公開番号（公開出願番号）：特開2011-258740
出願日： 2010年06月09日
公開日（公表日）： 2011年12月22日
要約：

【課題】基板間の接合界面の間隙の発生を低減することができる半導体装置を得ること。【解決手段】半導体基板と、半導体基板の一方の面に形成された活性層と、活性層上に形成され、前記活性層に接しない面側で凸部となる配線を有する配線層と、配線層上に、前記配線の上部以外の領域が凹部となるよう形成された絶縁層と、絶縁層の凹部上に設けられた埋込み層と、絶縁層および前記埋込み層上に設けられた接合層と、半導体基板の前記一方の面に対向するように前記接合層と接合された基板と、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板の一方の面に形成された活性層と、 前記活性層上に形成され、前記活性層に接しない面側で凸部となる配線を有する配線層と、 前記配線層上に、前記配線の上部以外の領域が凹部となるよう形成された絶縁層と、 前記絶縁層の凹部上に設けられた埋込み層と、 前記絶縁層および前記埋込み層上に設けられた接合層と、 前記半導体基板の前記一方の面に対向するように前記接合層と接合された基板と、 を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/146 ,  H01L 27/14 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H04N 5/369

FI (4件)：

H01L27/14 A ,  H01L27/14 D ,  H01L27/12 B ,  H04N5/335 690

Fターム (24件)：

4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA32 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118EA18 ,  4M118GA02 ,  4M118GC07 ,  4M118GC11 ,  4M118GD03 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  4M118HA02 ,  4M118HA11 ,  4M118HA23 ,  4M118HA24 ,  4M118HA30 ,  4M118HA31 ,  5C024CY47 ,  5C024DX01 ,  5C024EX43 ,  5C024EX52 ,  5C024GX03 ,  5C024GX24