特許

J-GLOBAL ID：201203032453518310

半導体素子の製造方法

発明者： 樋口 俊彦
出願人/特許権者： 旭硝子株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-206900
公開番号（公開出願番号）：特開2012-064710
出願日： 2010年09月15日
公開日（公表日）： 2012年03月29日
要約：

【課題】高温下での処理に適した半導体素子の製造方法を提供すること。【解決手段】半導体ウエハ10の第1面11に半導体素子20の第1構成部21を作製する第1工程と、第1構成部21の表面に、シリコーン樹脂層30のみを介して、支持板40を貼り付ける第2工程と、支持板40を貼り付けた状態のまま、半導体ウエハ10の第1面に対向する第2面12を研削した後、研削面13に半導体素子20の第2構成部22を作製する第3工程と、第1構成部21および第2構成部22が作製された半導体ウエハ10から、シリコーン樹脂層30を剥離して、シリコーン樹脂層30および支持板40を除去し、また、半導体ウエハ10をチップ状に切断する第4工程とを備えることを特徴とする半導体素子の製造方法を提供する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

半導体ウエハの第1面に半導体素子の第1構成部を作製する第1工程と、 前記半導体ウエハの、前記第1構成部が作製された第1面に、シリコーン樹脂層のみを介して、支持板を貼り付ける第2工程と、 前記支持板を貼り付けた状態のまま、前記半導体ウエハの前記第1面に対向する第2面を研削した後、研削面に前記半導体素子の第2構成部を作製する第3工程と、 前記第1構成部および前記第2構成部が作製された前記半導体ウエハから、前記シリコーン樹脂層を剥離して、前記シリコーン樹脂層および前記支持板を除去し、また、前記半導体ウエハをチップ状に切断する第4工程とを備えることを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/683

FI (4件)：

H01L21/304 622J ,  H01L21/02 C ,  H01L21/304 631 ,  H01L21/68 N

Fターム (13件)：

5F031CA02 ,  5F031FA30 ,  5F031MA22 ,  5F031MA37 ,  5F031MA38 ,  5F031PA11 ,  5F031PA20 ,  5F057AA39 ,  5F057CA14 ,  5F057DA11 ,  5F057EC20 ,  5F057FA15 ,  5F057FA22