厚膜導体形成用組成物、この組成物を用いて形成された厚膜導体、およびこの厚膜導体を用いたチップ抵抗器

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人貴和特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-183323
公開番号（公開出願番号）：特開2012-043622
出願日： 2010年08月18日
公開日（公表日）： 2012年03月01日
要約：

【課題】耐硫化性と耐半田食われ性にともにすぐれる、鉛フリーの厚膜導体形成用組成物を低コストで提供する。【解決手段】本発明は、チップ抵抗器の電極として用いられる厚膜導体を形成するための組成物に関する。本発明の組成物は、導電粉末としてAg粉末が、酸化物粉末として、SiO2-B2O3-Al2O3-CaO-Li2O系ガラス粉末と、Al2O3粉末とが、それぞれ含まれており、かつ、添加物としてカーボン粉末が添加されている。導電粉末100質量部に対し、カーボン粉末が1〜10質量部、前記ガラス粉末が0.1〜15質量部、前記Al2O3粉末が0.1〜8質量部である。前記ガラス粉末の組成比は、SiO2:20〜60質量%、B2O3:2〜25質量%、Al2O3:2〜25質量%、CaO:20〜50質量%、およびLi2O:0.5〜6質量%である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

導電粉末と、酸化物粉末と、添加物と、有機ビヒクルとからなる厚膜導体形成用組成物であって、前記導電粉末として、少なくともAg粉末が含まれており、前記酸化物粉末として、SiO2-B2O3-Al2O3-CaO-Li2O系ガラス粉末と、Al2O3粉末とが含まれており、かつ、前記添加物としてカーボン粉末が添加されていることを特徴とする、厚膜導体形成用組成物。

IPC (3件)：

H01B 1/22 , H01B 5/14 , H01C 7/00

FI (3件)：

H01B1/22 A , H01B5/14 Z , H01C7/00 K

Fターム (22件)：

5E033AA18 , 5E033AA29 , 5E033BA01 , 5E033BC01 , 5E033BD01 , 5E033BE01 , 5E033BG01 , 5E033BH01 , 5G301DA03 , 5G301DA18 , 5G301DA33 , 5G301DA34 , 5G301DA36 , 5G301DA38 , 5G301DA39 , 5G301DA40 , 5G301DA42 , 5G301DD01 , 5G301DE01 , 5G307GA02 , 5G307GB02 , 5G307GC02

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