特許
J-GLOBAL ID:201203033163311140

セラミック電子部品およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小柴 雅昭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-137881
公開番号(公開出願番号):特開2012-004330
出願日: 2010年06月17日
公開日(公表日): 2012年01月05日
要約:
【課題】たとえば積層セラミックコンデンサのようなセラミック電子部品の外部端子電極をめっきにより形成するとき、不所望な箇所にまでめっき成長が生じてしまうことがある。【解決手段】部品本体2が与えるセラミック面が、たとえばチタン酸バリウム系セラミックからなるもので比較的高いめっき成長力を示す高めっき成長領域11と、たとえばジルコン酸カルシウム系セラミックからなるもので比較的低いめっき成長力を示す低めっき成長領域12とを有するようにする。外部端子電極の下地となる第1層13を構成するめっき膜は、内部電極5および6の露出端によって与えられる導電面を起点として析出しためっき析出物が高めっき成長領域11と低めっき成長領域12との境界を低めっき成長領域12側へと越えて成長することが制限された状態で成長することによって形成される。【選択図】図2
請求項(抜粋):
セラミックからなるセラミック面と導電体からなる導電面とをもって表面が構成された部品本体と、 前記導電面を起点として析出しためっき析出物を前記セラミック面上に成長させてなるめっき膜と を備え、 前記セラミック面は、第1のセラミックからなるもので比較的高いめっき成長力を示す高めっき成長領域と、前記第1のセラミックとは異なる第2のセラミックからなるもので比較的低いめっき成長力を示す低めっき成長領域とを有し、 前記めっき膜は、前記導電面から、前記高めっき成長領域と前記低めっき成長領域との境界を前記低めっき成長領域側へと越える成長が制限された状態で形成されている、 セラミック電子部品。
IPC (2件):
H01G 4/12 ,  H01G 4/30
FI (8件):
H01G4/12 358 ,  H01G4/12 364 ,  H01G4/30 301A ,  H01G4/30 301E ,  H01G4/30 311F ,  H01G4/30 301F ,  H01G4/12 352 ,  H01G4/30 301B
Fターム (29件):
5E001AB03 ,  5E001AD02 ,  5E001AD03 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AF06 ,  5E001AH01 ,  5E001AH05 ,  5E001AH07 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ02 ,  5E001AJ03 ,  5E082AB03 ,  5E082CC03 ,  5E082EE04 ,  5E082EE35 ,  5E082FF05 ,  5E082FG04 ,  5E082FG26 ,  5E082FG46 ,  5E082GG10 ,  5E082GG11 ,  5E082GG28 ,  5E082HH60 ,  5E082JJ03 ,  5E082JJ12 ,  5E082JJ23 ,  5E082KK01 ,  5E082LL03

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